• بازدید : 114 views
  • بدون نظر
دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق مخابرات آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی سیگنال کوچک با استفاده از روش FDTD,پایان نامه کارشناسی ارشد برق,پروژه کارشناسی ارشد رشته برق,دانلود رایگان پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود رایگان پایان نامه word رشته برق,دانلود پایان نامه و پروژه pdf و word کارشناسی ارشد برق,خرید و فروش و انجام پایان نامه و پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود پروژه پایان نامه مهندسی ارشد رشته برق گرایش مخابرات,پروژه و پایان نامه ارشد برق گرایش مخابرات,دانلود تحقیق و مقاله کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات ,دانلود پایان نامه درباره آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی سیگنال کوچک با استفاده از روش FDTD,دانلود پروپوزال کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق گرایش مخابرات,دانلود پروژه و پایان نامه آماده دانشجویی رشته برق مخابرات


با سلام گرم خدمت تمام دانشجویان عزیز و گرامی . در این پست دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق مخابرات آنالیز و شبیه سازی تقویت کننده یک طبقه مایکروویوی سیگنال کوچک با استفاده از روش FDTD رو برای عزیزان دانشجوی رشته برق گرایش مخابرات قرار دادیم . این پروژه پایان نامه در قالب ۱۱۸ صفحه به زبان فارسی میباشد . فرمت پایان نامه به صورت پی دی اف PDF هست و قیمت پایان نامه نیز با تخفیف ۵۰ درصدی فقط ۱۴ هزار تومان میباشد …

از این پروژه و پایان نامه آماده میتوانید در نگارش متن پایان نامه خودتون استفاده کرده و یک پایان نامه خوب رو تحویل استاد دهید .

توجه : برای خرید این پروژه و پایان نامه با فرمت تمام متنی word و قابل ویرایش با شماره ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید .

دانشگاه آزاد اسلامی
واحد تهران جنوب
دانشکده تحصیلات تکمیلی
پایان نامه جهت دریافت درجه کارشناسی ارشد
رشته برق – گرایش مخابرات
عنوان پایان نامه: طراحی و شبیه سازی LNA متعادل باند X با استفاده از کوپلر لانژ
فهرست مطالب
چكيده…………………………………………………………………………………………… ۱
FDTD فصل اول : معرفي روش
در معادلات ماكسول…………………………………………………………………. ۶ FDTD -1 تاريخچة تكنيك -۱
و تكنيك هاي حوزة زمان شبكة مكاني مربوطه …………………………………… ۷ FDTD -2 مشخصه -۱
در يك بعد……………………………………………………………………………………………………………. ۸ FDTD -3 -1
۱۴…………………………………………………………………………………………………… FDTD -4 پايداري در روش -۱
-۵ تعيين اندازه سلول………………………………………………………………………………………………………………. ۱۴ -۱
در فضاي آزاد……………………………………………………. ۱۵ FDTD -6 شبيه سازي در سه بعد به روش -۱
-۷ خواص الكترومغناطيسي در مرز بين دو سلول……………………………………………………………………. ۱۷ -۱
۱۸……………………………………………………………………………………………………… PML -8 لايه تطبيق كامل -۱
FDTD فصل دوم : مدل كردن عناصر فشرده پسيو و اكتيو با استفاده از روش
-۱ عناصر فشردة خطي…………………………………………………………………………………………………………….. ۲۷ -۲
-۱ مقاومت……………………………………………………………………………………………………………………………. ۲۹ -۱ -۲
-۲ منبع ولتاژ مقاومتي………………………………………………………………………………………………………… ۳۰ -۱ -۲
-۳ خازن……………………………………………………………………………………………………………………………….. ۳۲ -۱ -۲
-۴ سلف………………………………………………………………………………………………………………………………… ۳۲ -۱ -۲
-۵ سيم يا اتصال………………………………………………………………………………………………………………….. ۳۳ -۱ -۲
-۲ مدل كردن عنصر فشرده در بيش از يك سلول………………………………………………………………….. ۳۳ -۲
-۳ مدل كردن عناصر اكتيو………………………………………………………………………………………………………. ۳۷ -۲
بسط يافته…………………………………………………………………………………………………….. ۳۹ FDTD -4 روش -۲
-۵ مدل گلوبال…………………………………………………………………………………………………………………………. ۴۱ -۲
-۶ روش منبع جريان معادل …………………………………………………………………………………………………….. ۴۸ -۲
-۱-۶ فرمول بندي روش منبع جريان معادل…………………………………………………………………………… ۴۹ -۲
-۲-۶ دستگاه هاي اكتيو خطي………………………………………………………………………………………………… ۵۳ -۲
-۳-۶ دستگاه اكتيو غير خطي………………………………………………………………………………………………….. ۵۶ -۲
فصل سوم : تقويت كننده مايكروويوي
-۱ عناصر مداري مايكروويو……………………………………………………………………………………………………….. ۶۱ -۳
-۱ مدارات عنصر فشرده……………………………………………………………………………………………………….. ۶۱ -۱ -۳
-۲ مدارات خط توزيع شده…………………………………………………………………………………………………… ۶۱ -۱ -۳
-۲ تطبيق شبكه هاي مايكروويو ……………………………………………………………………………………………… ۶۱ -۳
-۳ تقويت كننده هاي مايكروويو……………………………………………………………………………………………… ۶۱ -۳
-۱ تقويت كننده هاي مايكروويوي از نظر ساختار……………………………………………………………… ۶۲ -۳ -۳
-۲ تقويت كننده هاي مايكروويوي از نظر ساختار مداري………………………………………………….. ۶۲ -۳ -۳
-۳-۳ تقويت كننده هاي مايكروويوي از نظر عملكرد………………………………………………………………. ۶۲ -۳
-۴ تقويت كننده يك طبقه مايكروويوي…………………………………………………………………………………… ۶۵ -۳
۶۷………………………………………………………………………………………. MESFET -5 مدل سيگنال كوچك -۳
-۱ اندوكتانس هاي پارازيتيك……………………………………………………………………………………………….. ۶۷ -۵ -۳
-۲ مقاومت هاي پارازيتيك…………………………………………………………………………………………………… ۶۸ -۵ -۳
-۳ خازن هاي دروني……………………………………………………………………………………………………………… ۶۸ -۵ -۳
۶۹…………………………………………………………………………………………………………………. Ri -4 مقاومت با ر -۵ -۳
-۵ ضريب هدايت متقابل………………………………………………………………………………………………………… ۶۹ -۵ -۳
-۶ زمان گذر ………………………………………………………………………………………………………………………….. ۶۹ -۵ -۳
-۷ مقاومت خروجي……………………………………………………………………………………………………………….. ۷۰ -۵ -۳
فصل چهارم : طراحي و شبيه سازي تقويت كننده
-۱ طراحي تقويت كننده سيگنال كوچك………………………………………………………………………………… ۷۳ -۴
-۱ شبكه تطبيق خروجي……………………………………………………………………………………………………… ۷۶ -۱ -۴
-۲ شبكه تطبيق ورودي……………………………………………………………………………………………………….. ۷۷ -۱ -۴
-۲ مشخصات خط مايكرواستريپ…………………………………………………………………………………………….. ۷۸ -۴
در شبيه سازي………………………………………………………………………….. ۸۰ FDTD -3 مشخصات شبكه -۴
-۴ مدل سازي عنصر فعال………………………………………………………………………………………………………… ۸۰ -۴
-۱ مدل منبع جريان……………………………………………………………………………………………………………. ۸۵ -۴ -۴
-۲ مدل منبع ولتاژ………………………………………………………………………………………………………………. ۸۹ -۴ -۴
۹۲………………………………………………………………………………………………………. S -5 محاسبه پارامترهاي -۴
-۶ پروسه شبيه سازي………………………………………………………………………………………………………………. ۹۴ -۴
نتيجه……………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۱۰۰
پيوست………………………………………………………………………………………….. ۱۰۱
منابع و ماخذ……………………………………………………………………………………. ۱۰۲
چكيده انگليسي…………………………………………………………………………………. ۱۰۶
فهرست شكل ها
از نظر زماني و مكاني در فرمول بندي H و E 1: يك در ميان قرار گرفتن ميدان هاي -۱
۱۰……………………………………………………………………………………………………………………………………….. FDTD
۱۵………………………………………………………………………………………………………………………….. yee 2: سلول -۱
مثبت قرار گرفته است……………………………………………… ۳۱ z 1: منبع ولتاژ مقاومتي كه در جهت -۲
واقع شده است……………………………. ۳۵ yee 2: مدار مربوط به عنصر فشرده كه در چندين سلول -۲
۴۱…………………………………………………………………………… FDTD 3: مدل كردن ترانزيستور در شبكه -۲
۴۵………………………………………………………………… GaAsMESFET 4: ديد فوقاني نيمي از ساختار -۲
و شبكه تطبيق…………………………………………………………………. ۴۶ GaAs 5: تقويت كننده ترانزيستور -۲
۶: شبكه تطبيق ورودي……………………………………………………………………………………………………………. ۴۷ -۲
۴۷…………………………………………………………………………………………… GaAsMESFET 7: كوپلينگ در -۲
۸: شبكه تطبيق خروجي………………………………………………………………………………………………………….. ۴۷ -۲
در انتهاي خط مايكرواستريپ…………………………………………………………… ۵۰ ABCD 9: صفحه اكتيو -۲
۵۱………………………………………….. FDTD در شبكه (i, j) 10 : نمايش مدار معادل لبه هاي سلول -۲
۱۱ : شبكه اكتيو و ختم شدگي آن به جريان دستگاه………………………………………………………………. ۵۲ -۲
۵۲………………………………………………………………………………………………. FDTD 12 : مدار معادل سلول -۲
۱: عملكرد سيگنال كوچك تقويت كننده ……………………………………………………………………………….. ۶۴ -۳
۲: عملكرد سيگنال بزرگ تقويت كننده…………………………………………………………………………………… ۶۴ -۳
۳: نماي كلي تقويت كننده يك طبقه…………………………………………………………………………………….. ۶۵ -۳
۴: تقويت كننده در اين پايان نامه……………………………………………………………………………………………. ۶۶ -۳
۷۰…………………………………………………………………… MESFET 5: مدل ۱۶ عنصري سيگنال كوچك -۳
۶: ناحيه تخليه زير گيت……………………………………………………………………………………………………………. ۷۱ -۳
۱: تقويت كننده مايكروويوي شبيه سازي شده در اين پايان نامه با استفاده از -۴
۷۷……………………………………………………………………………………………… js مايكروويوي ۸۸۵۱ MESFET
اندازه گيري شده با استفاده از نرم افزار مايكروويو آفيس…………………………………… ۷۸ S 2: مقادير -۴
۳: خط مايكرواستريپ………………………………………………………………………………………………………………. ۷۹ -۴
۴: (الف) قرار گرفتن منابع معادل جريان در روش معادل نرتن. (ب) مدار معادل فرم انتگرالي -۴
قانون آمپر ……………………………………………………………………………………………………………………………………. ۸۱
۵: (ج) قرار گرفتن منابع ولتاژ معادل در روش معادل تونن. (د) مدار معادل فرم انتگرالي -۴
قانون فاراد……………………………………………………………………………………………………………………………………… ۸۲
به دست آمده حاصل از شبيه سازي……………………………………………………………. ۸۵ S 6: پارامترهاي -۴
۷: مدل منبع جريان معادل……………………………………………………………………………………………………….. ۸۶ -۴
۸: منبع ولتاژ معادل………………………………………………………………………………………………………………….. ۸۹ -۴
به دست آمده با استفاده از روش منبع ولتاژ معادل…………………………………….. ۹۶ S 9: پارامترهاي -۴
به دست آمده با استفاده از روش منبع جريان معادل ………………………………. ۹۷ S 10 : پارامترهاي -۴
۹۸………….. MWO حاصل شده از شبيه سازي در حوزه فركانس با استفاده از S 11 : پارامترهاي -۴
چكيده
۱
چكيده:
جهت شبيه سازي و آناليز يك تقويت كننده مايكروويوي در فركانس FDTD در اين پايان نامه از روش
مدارات تطبيق ورودي و خروجي و ، AC 10 ، استفاده شده است. اين تقويت كننده شامل منبع GHz
به عنوان دستگاه اكتيو مي باشد. روش منابع جريان و منابع ولتاژ JS مايكروويوي ۸۸۵۱ MESFET يك
و MESFET معادل جهت مدل كردن عنصر فعال به كار رفته اند و با توجه به مدل سيگنال كوچك
انجام مي شود و ميدان هاي FDTD معادلات حالت مربوطه، شبيه سازي تمام موج با استفاده از روش
الكتريكي و مغناطيسي در صفحات فعال به روز مي شوند. در نهايت پارامترهاي اسكترينگ تقويت كننده
با استفاده از تبديل فوريه پاسخ زماني به دست مي آيند. نتايج حاصل از شبيه سازي با دو روش معادل
ولتاژ و جريان با يكديگر مقايسه شده اند. از آن جايي كه اين دو روش دوگان يكديگرند توافق خوبي با
يكديگر دارند. اين نتايج با نتايج به دست آمده از روش فركانسي با نرم افزار مايكروويوآفيس نيز مقايسه
شده اند.
مقدمه
۲
مقدمه:
روش هاي عددي ابزاري بسيار مفيد در شبيه سازي مسائل الكترومغناطيسي هستند. از اين رو مي توان
به روش ممان، روش عنصر محدود و روش تفاضلات محدود در حوزة زمان به عنوان مهم ترين اين روش
به دليل قابليت آن در شبيه سازي انواع شكل هاي پيچيده، بدون FDTD ها اشاره كرد. روش عددي
نياز به حل ماتريس هاي بزرگ، معادلات غير خطي و معادلات انتگرالي پيچيده، نسبت به ساير روش
هاي ذكر شده از مزايايي برخوردار است. همچنين با استفاده از اين روش مي توان با يك بار اجراي
برنامه، پاسخ فركانسي سيستم تحت بررسي را در باند وسيعي در اختيار داشت.
فصل اول :
FDTD معرفي روش
FDTD فصل اول: معرفي روش
۳
مقدمه:
روش هاي عددي ابزاري بسيار مفيد در شبيه سازي مسائل الكترومغناطيسي هستند. از اين رو مي توان
به روش ممان، روش عنصر محدود و روش تفاضلات محدود در حوزة زمان به عنوان مهم ترين اين روش
۱ به دليل قابليت آن در شبيه سازي انواع شكل هاي پيچيده، بدون FDTD ها اشاره كرد. روش عددي
نياز به حل ماتريس هاي بزرگ، معادلات غير خطي و معادلات انتگرالي پيچيده، نسبت به ساير روش
هاي ذكر شده از مزايايي برخوردار است. همچنين با استفاده از اين روش مي توان با يك بار اجراي
برنامه، پاسخ فركانسي سيستم تحت بررسي را در باند وسيعي در اختيار داشت. به طور كلي مي توان با
يك بار اجراي برنامه، پاسخ فركانسي سيستم تحت بررسي را در اختيار داشت. به طور كلي مي توان به
مزاياي اين روش نسبت به ساير روش هاي عددي اينچنين اشاره كرد.
۱- اين روش نياز به حل معادلات انتگرالي ندارد و مسائل پيچيده بدون نياز به معكوس سازي
ماتريس هاي بزرگ قابل حل هستند.
۲- اين روش براي استفاده در ساختارهاي پيچيده، غير همگن هادي يا دي الكتريك ساده است،
در هر نقطه از شبكه قابل تعريف است. . و . ،. زيرا مقادير
۱ Finite Difference Time Domain
FDTD فصل اول: معرفي روش
۴
۳- نتايج حوزه فركانس با استفاده از نتايج حوزه زمان بسيار ساده تر از روش معكوس گيري از
ماتريس به دست مي آيند. بنابراين نتايج باند وسيع فركانسي به راحتي محاسبه مي شوند.
۴- اين روش موجب استفاده از حافظه به صورت ترتيبي مي شود.
اما اين روش داراي معايبي نيز هست كه عبارتند از:
۱- مش بندي اجسام پيچيده دشوار است.
۲- از آن جايي كه شبكه به شكل چهار گوش است، مسائل با سطوح منحني را در بر نمي گيرد و
در مدل سازي آن با اين روش با خطا مواجه خواهيم شد.
۳- در الگوريتم هاي تفاضل محدود، مقادير ميدان ها فقط در گره هاي شبكه مشخص است.
۴- براي دست يابي به دقت بالا در محاسبات، نياز به اجراي برنامه در تعداد گام زماني زياد است كه
سبب كندتر شدن اجراي برنامه مي شود.
و روش هاي حل محاسباتي مربوطه اش براي FDTD چند دليل افزايش علاقه مندي به استفاده از
معادلات ماكسول وجود دارد.
از مشكلات جبر FDTD ، از جبر غير خطي استفاده مي كند. با يك محاسبة كاملاً ساده FDTD -1
خطي كه اندازة معادلة انتگرالي حوزة فركانس و مدل هاي الكترومغناطيسي عنصر محدود را به كمتر
با ۱۰۹ FDTD از ۱۰۶ ميدان نامشخص الكترومغناطيسي محدود مي كند؛ اجتناب مي كند. مدل هاي
ميدان ناشناخته، اجرا مي شوند.
FDTD فصل اول: معرفي روش
۵
به خوبي شناخته شده اند و اين FDTD دقيق و عملي مي باشد. منابع خطا در محاسبات FDTD -2
خطاها مي توانند محدود شوند به گونه اي كه مدل هاي دقيقي را براي انواع مسائل عكس العمل موج
الكترومغناطيسي فراهم كنند.
به طور مستقيم FDTD طبيعتاً رفتار ضربه اي دارد. تكنيك حوزة زمان باعث مي شود تا FDTD -3
مي تواند شكل FDTD پاسخ ضربة يك سيستم الكترومغناطيسي را محاسبه كند. بنابراين شبيه سازي
موج هاي زماني بسيار پهن باند يا پاسخ هاي پايدار سينوسي را در هر فركانسي در طيف تحريك فراهم
كند.
پاسخ غير خطي يك FDTD ، طبيعتاً رفتار غير خطي دارد. با استفاده از تكنيك حوزة زمان FDTD -4
سيستم الكترومغناطيسي را محاسبه مي كند.
مي توان به جاي استفاده از معادلات انتگرالي FDTD يك روش سيستماتيك مي باشد. با FDTD -5
FDTD پيچيده از توليد مش براي مشخص كردن مدل يك ساختار جديد استفاده نمود. به عنوان مثال
نيازي به محاسبة توابع گرين مربوط به ساختار مورد نظر ندارد.
-۶ ظرفيت حافظة كامپيوتر به سرعت در حال افزايش است. در حالي كه اين روش به طور مثبت تمام
است كه گسسته سازي FDTD تكنيك هاي عددي را تحت تاثير قرار مي دهد، اين از مزيت هاي روش
بسيار زيادي دارد. RAM مكاني را روي يك حجم انجام مي دهد، بنابراين نياز به
FDTD فصل اول: معرفي روش
۶
-۷ توانايي مصور سازي كامپيوترها به سرعت در حال افزايش است. در حالي كه اين روش به طور مثبت
است كه آرايه گام FDTD تمام تكنيك هاي عددي را تحت تاثير قرار مي دهد. اين از مزيت هاي روش
هاي زماني از مقادير ميدان را براي استفاده در ويدئو هاي رنگي براي نمايش حركت ميدان مناسب مي
سازد.
در معادلات ماكسول FDTD -1-1 تاريخچة تكنيك
آغاز شده است. Yee جدول زير بعضي از نشريات اصلي در اين زمينه ليست شده اند كه با مقالة
براي معادلات ماكسول: FDTD بخشي از تاريخچة تكنيك
را براي حل معادلات كرل ماكسول در حوزة زمان و بر روي FDTD اساس تكنيك عددي Yee :1966
شبكة مكاني مطرح كرد.
حالت FDTD و اولين روش Yee ملاك پايداري عددي را براي الگوريتم Brodwin و Taflove :1975
پايدار سينوسي را از موج الكترومغناطيسي ۲ و ۳ بعدي در ساختار ماده را تشكيل دادند.
به كار بردند. EMP را در مسائل Yee الگوريتم Lee و Kunz و Holland :1977
به كار برد. Yee مرتبه اول و دوم را براي شبكه ABC شرط مرزي جذب Mur :1981
از ساختارهاي موجبري را ارائه دادند. FDTD شبيه سازي Hoeffer و Choi :1986
FDTD فصل اول: معرفي روش
۷
سه بعدي از جذب موج الكترومغناطيسي توسط بدن انسان را FDTD اولين مدل Sullivan :1988
ارائه داد.
ارائه شد. Zhing يك مايكرواستريپ توسط FDTD 1988 : مدل
Luebbers و Kashiva از پرميتيويتي دي الكتريك وابسته به فركانس توسط FDTD 1990-91 : مدل
ارائه شد. Joseph و
بيان شد. Sui از عناصر مداري الكترونيكي فشرده در دو بعد به وسيله FDTD 1992 : مدل
دو بعدي مطرح كرد كه به FDTD 1 را براي شبكه هاي PML شرط مرزي جذب Berenger :1994
به پايانه هاي موجبري تفرقي منجر شد. Reuter به سه بعد و توسط Katz وسيلة
مربوط به عدد موج مختلط را FDTD آناليز جامعي از پراكندگي شبكة Wagner و Schneider :1999
بيان نمود.


راهنمای خرید فایل از سایت :
برای خرید فایل روی دکمه سبز رنگ (خرید و دانلود) کلیک کنید سپس در فیلدهای خالی آدرس ایمیل و سایر اطلاعات خودتون رو بنویسید سپس دکمه ادامه خرید رو کلیک کنید . در این مرحله به صورت آنلاین به بانک متصل خواهید شد و پس از وارد کردن اطلاعات بانک از قبیل شماره کارت و پسورد خرید فایل را انجام خواهد شد . تمام این مراحل به صورت کاملا امن انجام میشود در صورت بروز مشکل با شماره موبایل ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید و یا به ایمیل info.sitetafrihi@gmail.com پیام بفرستید .


عتیقه زیرخاکی گنج