• بازدید : 113 views
  • بدون نظر
دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد الکترونیک بررسی و طراحی کارت اعتباری هوشمند تماسی و غير تماسی,پایان نامه کارشناسی ارشد برق,پروژه کارشناسی ارشد رشته برق,دانلود رایگان پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود رایگان پایان نامه word رشته برق,دانلود پایان نامه و پروژه pdf و word کارشناسی ارشد برق,خرید و فروش و انجام پایان نامه و پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود پروژه پایان نامه مهندسی ارشد رشته برق گرایش الکترونیک,پروژه و پایان نامه ارشد برق گرایش الکترونیک,دانلود تحقیق و مقاله کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک,دانلود پایان نامه درباره بررسی و طراحی کارت اعتباری هوشمند تماسی و غير تماسی,دانلود پروپوزال کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق گرایش الکترونیک,دانلود پروژه و پایان نامه آماده دانشجویی رشته برق الکترونیک


با سلام گرم خدمت تمام دانشجویان عزیز و گرامی . در این پست دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک بررسی و طراحی کارت اعتباری هوشمند تماسی و غير تماسی رو برای عزیزان دانشجوی رشته برق گرایش الکترونیک قرار دادیم . این پروژه پایان نامه در قالب ۲۱۲ صفحه به زبان فارسی میباشد . فرمت پایان نامه به صورت پی دی اف PDF هست و قیمت پایان نامه نیز با تخفیف ۵۰ درصدی فقط ۱۴ هزار تومان میباشد …

از این پروژه و پایان نامه آماده میتوانید در نگارش متن پایان نامه خودتون استفاده کرده و یک پایان نامه خوب رو تحویل استاد دهید .

توجه : برای خرید این پروژه و پایان نامه با فرمت تمام متنی word و قابل ویرایش با شماره ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید .

دانشگاه آزاد اسلامی
واحد تهران جنوب
دانشکده تحصیلات تکمیلی
پایان نامه جهت دریافت درجه کارشناسی ارشد
رشته برق – گرایش الکترونیک
عنوان پایان نامه: بررسی و طراحی کارت اعتباری هوشمند تماسی و غير تماسی

به همراه فایل شبیه سازی شده برای نرم افزار MATLAB 

فهرست مطالب
عنوان ————————————————————–صفحه
چكيده………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۱
مقدمه…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۳
فصل اول:استاندارها و پروتكل ها و سيستم عامل ها
۱-۱ انواع كارت………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۶
۲-۱ تقسيم بندي كارت ها برحسب نوع تراشه………………………………………………………………………………………………………… ۶
۱-۳-۱ تقسيم بندي كارتها برحسب روش ارتباط كارت و ترمينال…………………………………………………………………….. ۱۰
۴-۱ استانداردها…………………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۲
۱۲ ………………………………………………………………………………………………………………………………… ISO/IEC 1-4-1 استاندارد
۱۴ …………………………………………………………………………………………………………………………………CEN 2-4-1 استانداردهاي
۱۴ ……………………………………………………………………………………………………………………………………..EMV 3-4-1 استانداردها
۱۵ …………………………………………………………………………………………………………………………………………ETSI 1-4-1 استاندارد
-۵-۱ پروتكل هاي ارتباطي……………………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۶
-۶-۱ سيستم عامل كارت هوشمند………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۹
-۷-۱ سيستم عامل كارت با كاربرد خاص……………………………………………………………………………………………………………… ۲۲
-۸-۱ سيستم عامت كارت چند كاربردي……………………………………………………………………………………………………………… ۲۳
-۹-۱ گواهي هاي امنيتي……………………………………………………………………………………………………………………………………… ۲۸
-۱۰-۱ ترمينالهاي كارت هوشمند …………………………………………………………………………………………………………………………. ۲۹
smart card فصل دوم: ساختمان داده در
-۱-۲ خلاصه فصل………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۳۳
-۲-۲ شكل وترتيب پايه ها در كارت هوشمند…………………………………………………………………………………………………… ۳۳
-۳-۲ ساختمان داخلي كارت هوشمند……………………………………………………………………………………………………………… ۳۵
۳۶…………………………………………………………………………………………………………………………………………………….. CPU-1-3-2
۳۶……………………………………………………………………………………………………………………………………………………RAM-2-3-2
۳۶……………………………………………………………………………………………………………………………………………… EPRAM-3-3-2
۳۶………………………………………………………………………………………………………………………………………………. EEPRAM-4-3-2
-۵-۳-۲ كمك پردازنده……………………………………………………………………………………………………………………………………… ۳۷
-۴-۲ انتقال اطلاعات با كارت وكارت خوان……………………………………………………………………………………………………….. ۳۷
-۵-۲ ساختار قاب………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۳۹
-۶-۲ تشخيص خطا وتكرار قاب………………………………………………………………………………………………………………………… ۴۰
-۷-۲ فرمان ………………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۴۱
-۱-۷-۲ ساختمان فرمان……………………………………………………………………………………………………………………………….. ۴۱
-۸-۲ پاسخ……………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۴۴
-۹-۲ ساختار فايل و داده……………………………………………………………………………………………………………………………….. ۴۴
۴
-۱-۹-۲ ساختار فايل هاي اوليه…………………………………………………………………………………………………………………………… ۴۵
-۱۰-۲ انواع اجازه دستيابي به فايل ……………………………………………………………………………………………………………………. ۴۷
-۱۱-۲ دوره عمر كارت…………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۴۷
-۱-۱۱-۲ ساخت فيزيكي كارت…………………………………………………………………………………………………………………………… ۴۸
-۲-۱۱-۲ راه اندازي اوليه…………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۴۸
-۳-۱۱-۲ خصوصي سازي…………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۴۸
-۴-۱۱-۲ مرحله استفاده توسط مصرف كننده………………………………………………………………………………………………….. ۴۹
-۱۲-۲ مقدمه اي بر رمز نگاري كارت هوشمند…………………………………………………………………………………………………. ۴۹
فصل سوم: حافظه ها
۱-۱-۳ مقدمه فصل………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۵۳
۶۳………………………………………………………………………………………………..SRAM -2-3 منابع مصرف توان در حافظه هاي
-۱-۲-۳ منابع مصرف توان…………………………………………………………………………………………………………………………………. ۶۳
-۲-۲-۳ تكنيك كاهش توان ……………………………………………………………………………………………………………………………… ۶۵
-۳-۲-۳ كاهش خازني……………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۶۶
-۴-۲-۳ تكنيك عمليات پالس…………………………………………………………………………………………………………………………… ۶۸
۷۰ …………………………………………………………………………………………………………………………………AC -5-2-3 كاهش جريان
-۶-۲-۳ كاهش جريان نشتي…………………………………………………………………………………………………………………………….. ۷۲
۷۳ ………………………………………………………………………………………………………………………………..MTCMOS -7-2-3 روش
فصل چهارم:طراحي پردازنده ۱۶ بيتي
-۱-۴ مقدمه فصل…………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۷۷
-۲-۴ پردازنده با مجموعه دستورالعملهاي پيچيده…………………………………………………………………………………………….. ۷۷
-۳-۴ پردازنده با مجموعه دستور العملهاي كاهش يافته …………………………………………………………………………………… ۷۸
-۴-۴ اختلاف در معماري پردازنده ها ………………………………………………………………………………………………………………. ۷۹
-۵-۴ پردازنده با خطوط لوله ………………………………………………………………………………………………………………………………. ۸۰
-۱-۵-۴ مدل اسنكرون…………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۸۰
-۲-۵-۴ مدل سنكرون………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۸۱
-۶-۴ پردازنده با خطوط لوله………………………………………………………………………………………………………………………………… ۸۲
-۷-۴ اناليز تاخير…………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۸۴
-۸-۴ راندمان پردازنده…………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۸۶
-۱-۸-۴ وابستگي داده ها……………………………………………………………………………………………………………………………………… ۸۷
-۲-۸-۴ تاثير دستورات پرشي……………………………………………………………………………………………………………………………… ۹۰
-۱-۲-۸-۴ پيشگوئي پرش…………………………………………………………………………………………………………………………………… ۹۱
-۲-۲-۸-۴ خط لوله دوگانه………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۹۲
-۲-۸-۴ پرش تاخير يافته………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۹۲
-۹-۴ طراحي پردازنده ها……………………………………………………………………………………………………………………………………… ۹۳
-۱۰-۴ دستور العملها……………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۹۳
-۱۱-۴ معماري پردازنده طراحي شده……………………………………………………………………………………………………………………. ۹۵
۵
-۱۲-۴ خط لوله در پردازنده طراحي شده……………………………………………………………………………………………………………. ۹۷
۹۵ …………………………………………………………………………………………………………………..ADD,SUB,AND -1-13-4 دستورات
۱۰۰……………………………………………………………………………………………………………………………………..ADDI,SUBI-2-13-4
۱۰۱…………………………………………………………………………………………………………………………..LDIL,LDIH -3-13-4 دستورات
۱۰۲…………………………………………………………………………………………………………………………………………….LDW -14-4 دستور
۱۰۳……………………………………………………………………………………………………………………………………….STW -1-14-4 دستورات
۱۰۴…………………………………………………………………………………………………………………………………CPLB -2-14-4 دستورات
۱۰۵………………………………………………………………………………………………………………………..MOVCFROM -3-14-4 دستور
۱۰۶ ……………………………………………………………………………………………………………………………..MOVCTO -4-14-4 دستورات
۱۰۷……………………………………………………………………………………………………………………DEC -15-4 انجام عمل همزدن در
-۱۶-۴ ساختن فازها………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۰۹
۱۱۱………………………………………………………………………………………………………………………………………………ROM -17-4 درگاه
۱۱۵……………………………………………………………………………………………………………………………………………..RAM -18-4 درگاه
-۱۹-۴ واحد ديكدر…………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۱۸
۱۱۹………………………………………………………………………………………………………………………………………….. DECREG1-1-19-4
۱۲۱………………………………………………………………………………………………………………………………………….DECREG2-2-19-4
-۲۰-۴ بانك رجيستر………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۲۲
-۲۱-۴ اشاره گر پشته……………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۲۴
۱۲۴………………………………………………………………………………………………………………………………………………….ALU -22-4 واحد
-۲۳-۴ سيتم وقفه………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۲۷
-۲۴-۴ كاهش مصرف در پر دازنده…………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۳۰
-۲۵-۴ سريال…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۳۱
-۲۶-۴ تايمر………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۳۱
-۲۷-۴ مراحل طراحي سيستمهاي ديجيتال………………………………………………………………………………………………………. ۱۳۲
I/O فصل پنجم: اتصال
مقدمه فصل…………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۱۳۶
-۱-۵ اتصال ورودي………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۳۸
خروجي………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۴۳ PAD-2-5
۱۵۳…………………………………………………………………………………………………………………………………………… ESD -3-5 تست
فصل ششم : شبيه سازي
-۱-۶ شبيه سازي ……………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۵۸
خروجي……………………………………………………………………………………………………………………… ۱۶۲ PAD -2-6 شبيه سازي
۶
فصل هفتم : كارت غير تماسي
-۱-۷ توان مصرفي………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۶۹
-۲-۷ باطري………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۱۷۰
-۳-۷ فر كانس راديوئي……………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۷۱
-۴-۷ مدولاسيون………………………………………………………………………………………………………………………………………………… ۱۷۴
-۵-۷ كارتهاي غير تماسي……………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۷۵
-۶-۷ كانال با نويز تجمعي سفيد …………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۷۹
-۷-۷ نويز فاز……………………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۸۵
نتيجه گيري…………………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۸۹
خذ . منابع و م
فهرست منابع فارسي………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۹۳
فهرست منابع لاتين……………………………………………………………………………………………………………………………………………. ۱۹۴
چكيده انگليسي………………………………………………………………………………………………………………………………………………….. ۱۹۵
۷
فهرست جدولها
عنوان ————————————————————– صفحه
۱-۱ . جدول:انواع كارت و سال توليد ان ———————————————————– ۶
۲-۱ . جدول:چندين نمونه تراشه حافظه اي براي كارتها———————————————– ۷
۳-۱ . جدول:چندين نمونه تراشه ريزپردازنده دار —————————————————- ۹
در باره كارت هوشمند ———————————————— ۱۲ ISO/IEC 4-1 .استاندارهاي
۵-۱ . جدول:مقايسه پروتكلهاي ارتباطي ———————————————————- ۱۹
۶-۱ . جدول:مثال هايي ازسيتم عامل هاي كارت هوشمند ——————————————- ۲۰
۲۴ ———————————————————-MAOS 7-1 . جدول:سيتم هاي عامل
۸-۱ . جدول:مقايسه سه نوع سيستم عامل ——————————————————– ۲۷
۱-۲ . جدول:حالات مختلف فرمان و پاسخ ——————————————————– ۴۱
۴۳ —————————————————-ISO 2-2 . جدول:فرمانهاي تعرف شده در ۷۸۱۶
۳-۲ . جدول:مشخصات مر بوط به هر يك از فرمانها ————————————————- ۴۳
۱۲۴ ——————————————————————–ALU 2-4 . جدول:وظايف
هاي قابل قبول در كارت هوشمند ———————————————- ۱۳۱ ETU: 3-4 . جدول
۱-۷ . جدول:انواع فركانس راديوئي ————————————————————- ۱۷۱
۲-۷ . جدول:نمودارهاي خروجي برحسب تغييرات واريانس —————————————— ۱۷۸
براي ۳=توان سيگنال ورودي ———————————- ۱۸۳ BER 3-7 . جدول: مقدار محاسبه شده
براي ۱,۵ =توان سيگنال ورودي——————————– ۱۸۳ BER 4-7 . جدول: مقدار محاسبه شده
براي ۱ = توان سيگنال ورودي———————————- ۱۸۳ BER 5-7 . جدول: مقدار محاسبه شده
۰=توان سيگنال ورودي ——————————— ۱۸۳ / براي ۵ BER 6-7 . جدول: مقدار محاسبه شده
۱۸۷ ————————–SNR = براي سيگنال توان ورودي= ۱و ۱ BER 7-7 . جدول: مقدارمحاسبه شده
۱۸۷ ————————- SNR = براي سيگنال توان ورودي= ۱و ۵ BER 8-7 . جدول: مقدارمحاسبه شده
۱۸۷ ————————-SNR = براي سيگنال توان ورودي= ۱و ۱۰ BER 9-7 . جدول: مقدارمحاسبه شده
۱۸۷ ———————– SNR = براي سيگنال توان ورودي= ۱و ۱۵ BER 10-7 . جدول: مقدارمحاسبه شده
۸
فهرست شكلها
عنوان ————————————————————– صفحه
۱-۱ . شكل:كارت غير تماسي —————————————————————— ۱۱
۲-۱ . شكل:فرايند ارتباطي بين كارت هوشمند وترمينال ——————————————— ۱۸
۳-۱ . شكل:معماري كلي كارتهاي چند كاربردي—————————————————- ۲۵
۱-۲ . شكل:قسمتهاي مختلف كارت هوشمند —————————————————— ۳۳
۲-۲ . شكل:شكل وترتيب پايه ها—————————————————————- ۳۴
۳-۲ . شكل:ساختار داخلي كارت هوشمند——————————————————— ۳۵
۴-۲ . شكل:قاب اطلا عات ——————————————————————— ۳۹
۵-۲ . شكل:تشخيص خطا و تكرار قاب ———————————————————– ۴۰
۶-۲ . شكل:ساختمان فرمان——————————————————————– ۴۱
۷-۲ . شكل:حالات مختلف فرمان—————————————————————- ۴۲
۸-۲ . شكل:ساختمان پاسخ ——————————————————————– ۴۴
۹-۲ . شكل:ساختار فايل ———————————————————————- ۴۵
۱-۳ . شكل:نمودار جعبه اي يك واحد حافظه—————————————————— ۵۳
۲-۳ . شكل:سلول حافظه ———————————————————————- ۵۶
۵۹ ———————————————————————- RAM4* 3-3 . شكل: ۴
۴-۳ . شكل:ساختار ديكدر دو بعدي————————————————————– ۵۹
۶۲ ——————————————————————–SRAM 5-3 . شكل:سلول
۶۶ ———————————————————————DWL 6-3 . شكل:ساختار
۷-۳ . شكل:ساختار حافظه——————————————————————— ۶۸
۸-۳ . شكل:مدار هاي اشكار ساز —————————————————————- ۶۹
در مد نصف سوئيچ پالس————————————————– ۷۰ AND 9-3 . شكل:گيت
۱۰-۳ . شكل:ساختار ديكدر دو مر حله اي ——————————————————– ۷۱
۱۱-۳ . شكل:يك ديكدر براي سه خط ادرس سطري ———————————————— ۷۱
بادو ولتاژ استانه ——————————————————- ۷۳ CMOS 12-3 . شكل:مدار
۱۳-۳ . شكل:نوعي حافظه براي ذخيره اطلاعات —————————————————- ۷۴
۱-۴ . شكل:اختلاف در معماري پردازنده ها——————————————————– ۷۹
۲-۴ . شكل:خطوط لوله اسنكرون ————————————————————— ۸۰
۳-۴ . شكل:خطوط لوله سنكرون—————————————————————- ۸۱
۴-۴ . شكل:جدول رزرو ———————————————————————– ۸۲
۵-۴ . شكل: خطوط لوله غير خطي ————————————————————– ۸۳
۶-۴ . شكل:جدول تداخل———————————————————————- ۸۵
۷-۴ . شكل:چرخه تاخير ———————————————————————- ۸۶
۸-۴ . شكل:وابستگي داده ها دراثر خواندن از حافظه ———————————————— ۸۷
۹-۴ . شكل:راه حل براي وابستگي داده ها——————————————————— ۸۸
۱۰-۴ . شكل:وابستگي داده ها در اجراي دستورالعملها ———————————————– ۸۹
۱۲-۴ . شكل:تاثير دستورات پرش————————————————————— ۹۰
۱۳-۴ . شكل:شكل دستور العملها ————————————————————— ۹۴
۹
۱۴-۴ . شكل:معماري پردازنده طراحي شده ——————————————————- ۹۶
۱۵-۴ . شكل:خط لوله در پردازنده طراحي شده —————————————————- ۹۷
۱۶-۴ . شكل:جدول رزرو ———————————————————————- ۹۸
۱۰۰ —————————————————–ADD,SUB,AND 17-4 . شكل:دستورات
۱۰۱ —————————————————-ADDI,SUBILSIR 18-4 . شكل:دستورات
۱۰۲ ———————————————————-LDIL,LDIH 19-4 . شكل:دستورات
۱۰۳ ——————————————————————-LOW 20-4 . شكل:دستور
۱۰۴ ——————————————————————- STW 21-4 . شكل:دستور
۱۰۵ —————————————————————- CPLB 22-4 . شكل:دستورات
۱۰۶ ——————————————————— MOVCFROM 23-4 . شكل:دستور
۱۰۸ —————————————————————- DEC 24-4 . شكل:همزدن در
حافظه ——————————————————- ۱۰۹ DEC 25-4 . شكل:ذخيره جدول در
۲۶-۴ . شكل:ساختن فاز ها ——————————————————————- ۱۱۰
۱۱۱ ———————————————– ۲۷-۴ . شكل:طريقه ساختن سيگنالهاي فاز ۱و فاز ۲
۱۱۲ ——————————————————————–ROM 28-4 . شكل:درگاه
۲۹-۴ . شكل:جمع كننده——————————————————————— ۱۱۳
۱۱۳ ————————————————————— ROM 30-4 . شكل:خواندن از
۳۱-۴ . شكل:سيگنالهاي عمل خواندن دستورالعمل توسط پردازنده———————————— ۱۱۴
۱۱۵ ——————————————————————–RAM 32-4 . شكل:درگاه
۱۱۷ ———————————————————RAM 33-4 . شكل:خواندن ونوشتن در
۱۱۸ —————————————–RAM 34-4 . شكل:سيگنالهاي ساخته شده براي خواندن از
۱۱۹ ———————————————————— DEGREG 35-4 . شكل:مدارات ۱
۱۱۸ —————————————————-DECREG از ۱ Imm 36-4 . شكل: خواندن
۱۲۲ ———————————————————— DECREG 37-4 . شكل:مدارات ۲
۳۸-۴ . شكل:بانك رجيستر ——————————————————————- ۱۲۳
۳۹-۴ . شكل:مدار جداكننده —————————————————————— ۱۲۳
۴۰-۴ . شكل:جمع كننده وتفريق كننده ——————————————————— ۱۲۵
۱۲۶ ———————————————————————ALU 41-4 . شكل:واحد
۴۲-۴ . شكل:مداروقفه ———————————————————————– ۱۲۸
۴۳-۴ . شكل:وقفه ————————————————————————– ۱۳۰
۴۴-۴ . شكل:مراحل طراحي سيستم ديجيتال —————————————————- ۱۳۲
۱۳۷ —————————————————————- I/O 1-5 . شكل:نمادي از واحد
۱۳۷ ———————————————————-ESD 2-5 . شكل:نقش محافظ در برابر
۳-۵ . شكل:دشارژولتاژاز بدن انسان————————————————————- ۱۳۹
بر روي درين —————————————————- ۱۴۰ ESD 4-5 . شكل: نحوه عملكرد
ورودي —————————————————————– ۱۴۲ PAD 5-5 . شكل:مدار
ورودي—————————————————- ۱۴۲ PAD 6-5 . شكل:استفاده از ماسفت در
خروجي———————————————————- ۱۴۳ PAD 7-5 . شكل:ساختار يك
۱۴۴ ——————————————————-Cself و CL 8-5 . شكل: نقش خاز نهاى
۱۰
۹-۵ . شكل:مدار واسط سوپر —————————————————————— ۱۴۵
۱۴۷ ———————————————————————aopt 10-5 . شكل:ضريب
۱۱-۵ . شكل: اثرات اضافه كردن اينورتر در هر مر حله را روي تاخيرمدار————————– ۱۴۸
۱۴۹ ——————————————————————-tp وts 12-5 . شكل: نمودار
۱۳-۵ . شكل:مدار معادل خط انتقال بين دو اينورتر ———————————————— ۱۵۰
خروجي——————————————————— ۱۵۱ PAD 14-5 . شكل:ساختار يك
دوطرفه————————————————————— ۱۵۲ PAD 15-5 . شكل:مدار
۱۶-۵ . شكل:مدار بافر سه حالته ————————————————————— ۱۵۲
۱۵۳ ———————————————————————ESD 17-5 . شكل:تست
ها ———————————————————————– ۱۵۴ PAD: 18-5 . شكل
۱۵۴ —————————————————–PAD 19-5 . شكل: محدوده طراحي هسته و
ها ——————————————————— ۱۵۵ PAD 20-5 . شكل: نحوه قرارگرفتن
ها در مدار————————————————— ۱۵۶ PAD 21-5 . شكل:نحوه قرار گرفتن
۱-۶ . شكل:مدار محافظ ازمايش شده ———————————————————– ۱۵۸
۱۶۰ ————————————————– ESD 2-6 . شكل:استفاده از ۴ ديود در تست اثر
۳-۶ . شكل:سوپر بافر سه طبقه —————————————————————- ۱۶۳
۱-۷ . شكل:ساختار كارت غيرتماسي———————————————————— ۱۶۹
۱۷۰ —————————————————— RF 2-7 . شكل:كارت غير تماسي در ميدان
۳-۷ . شكل:چندين نمونه شكل موجهاي كد شده————————————————– ۱۷۴
۱۷۵ ————————————————————-FSK 4-7 . شكل:نمونه مدولاسيون
۵-۷ . شكل:كارت غير تماسي هيبريد ———————————————————– ۱۷۶
۶-۷ . شكل:كارت غيرتماسي فول ————————————————————– ۱۷۶
۷-۷ . شكل:مراحل اعمال نويز در شبيه سازي—————————————————– ۱۷۷
۱۷۸ ————————————————ASK 8-7 . شكل:مدل شبيه سازي براي توليد موج
۱۸۲ —————————————–MATLAB 9-5 . شكل:مدار شبيه سازي شده در نرم افزار
۱۸۴ ———————————— p= و ۱ SNR= 10-7 . شكل: نمودار سيگنال خروجي منبع براي ۵
۱۸۴ —————————————-p= و ۲ SNR= 11-7 . شكل: نمودار سيگنال خروجي ۴ براي ۱
۱۸۴ ————————————– p=1/ و ۵ SNR= 12-7 . شكل: نمودار سيگنال خروجي ۶ براي ۵
۱۳-۷ . شكل:مدار طراحي شده براي تحليل نويز فاز———————————————— ۱۸۶
۱۱
۱۲
فهرست نمودارها
عنوان ————————————————————– صفحه
۱-۶ .نمودار:نتيجه وجود مدار محافظ متشكل از دو ديود ——————————————– ۱۵۹
ورودي————————————- ۱۶۰ pad 2-6 .نمودار:نشان دهنده يك دشارژبا ولتاژ منفي روي
۳-۶ .نمودار:اثرمدار محافظ با استفاده از ۴ديود —————————————————- ۱۶۱
۴-۶ .نمودار: اثرمدار محافظ با استفاده از ۴ديودبر روي دشارژمثبت ———————————— ۱۶۲
۵-۶ .نمودار:استفاده از يك طبقه اينورتر سه حالته————————————————— ۱۶۳
۶-۶ .نمودار:نتايج شبيه سازي مثال با دو طبقه اينورتر———————————————— ۱۶۴
۷-۶ .نمودار: نتايج شبيه سازي مثال با سه طبقه اينورتر ———————————————- ۱۶۴
۸-۶ .نمودار: نتايج شبيه سازي مثال با چهارطبقه اينورتر———————————————- ۱۶۵
۹-۶ .نمودار: نتايج شبيه سازي مثال با پنج طبقه اينورتر———————————————- ۱۶۵
۱۰-۶ .نمودار: نتايج شبيه سازي مثال با شش طبقه اينورتر——————————————– ۱۶۶
۱۱-۶ .نمودار: نتايج شبيه سازي مثال با هفت طبقه اينورتر——————————————– ۱۶۶
۱-۷ .نمودار: سيگنال ورودي و مقايسه سيگنال خروجي با ورودي و سيگنال خروجي همراه با اثر نويز
۱۷۹ —————————————————————————— با واريانس ۱۰
۲-۷ .نمودار: سيگنال ورودي و مقايسه سيگنال خروجي با ورودي و سيگنال خروجي همراه با اثر نويز
۱۷۹ ——————————————————————————- با واريانس ۱
۳-۷ .نمودار: سيگنال ورودي و مقايسه سيگنال خروجي با ورودي و سيگنال خروجي همراه با اثر نويز
۱۸۰ ——————————————————————————۰/ با واريانس ۱
۴-۷ .نمودار: سيگنال ورودي و مقايسه سيگنال خروجي با ورودي و سيگنال خروجي همراه با اثر
۱۸۰ ————————————————————————-۰/ نويز با واريانس ۰۱
۱۳
چكيده:
با افزايش تقاضا براي استفاده از كارتهاي اعتباري تحولات ساختاري بسياري در سخت
افزار ونرم افزار كارتها پديد اورده است مبحث امنيت وسرعت انتقال داده و توان مصرفي
وهزينه تمام شده هر تراشه به عنوان يكي از فاكتورهاي مهم در توسعه استفاده از ان مي
باشد. دراين پايان نامه در جهت طراحي وتحليل هر يك از اجزاكارت موارد زير بررسي
شده است.
در فصل اول ساختار كلي كارت و استانداردها وپروتكل هاي ارتباطي مورد بررسي قرار
گرفته وطي جداولي هريك ازمحصولات ارائه شده را مقايسه نموده ايم.
درفصل دوم ساختار فيزيكي و نحوه انتقال ديتا از تر مينال به كار ت بررسي شده است.
در فصل سوم انواع حافظه ها مطرح گرديده وبا توجه به اينكه حدود ۴۰ % از توان مصرفي
مر بوط به حافظه ها مي باشد راه هاي بهبود توان در سلول حافظه مورد بررسي قرار
گرفته است.
در فصل چهارم يك پردازنده ۱۶ بيتي با مجموعه دستور العملهاي كاهش يافته طراحي شده
ودرجهت كاهش مصرف توان وافزايش سرعت از پردازنده ها ي خطوط لوله استفاده
گرديده است.
از انجايكه كارتهاي اعتباري داراي ۸ اتصال اسيب پذيربامحيط خارجي مي باشنددر فصل
كه خود به عنوان يك حمله ESD مورد بررسي قرار گرفته است .واثر I/O پنجم اتصال
فيزيكي مطرح مي باشد شبيه سازي ومورد نقد قرار گرفته است همچنين نقش مدار ات
بررسي شده است. I/O سوپر بافر در طراحي اتصال
۱۴
مورد شبيه سازي قرا رگرفته و وجود مدارات محافظ متفاوت ESD در فصل ششم اثر
شبيه سازي وبعد مقايسه شده اند H-Spice بوسيله نرم افزار
و I/O در مرحله دوم مثال ارائه شده از فصل پنجم در زمينه افزايش قدرت درايواتصا ل
layout بالارفتن سرعت انتقال ديتا وكاهش تاخير شبيه سازي صورت گرفته و در انته ا
طراحي شده است. L-Edit وسوپربافربوسيله نرم افزار I/O اتصال
آنها بررسي شده اند در اين بخش RF در فصل هفتم كارتهاي غير تماسي و قسمت مدار
مدولاسيون و اثر نويز سفيد و نويز فاز بر روي اين كارتها مورد نقد و بررسي قرار گرفته
بر روي انواع مدولاسيونها صورت MATLAB اند و يك شبيه سازي بوسيله نرم افزار
در هر نوع از مدولاسيون هاي (BER) گرفته و نتايج خطاي انجام گرفته در انتقال ديتا
ديجيتال با هم مقايسه شده اند.
۱۵
مقدمه
تاريخچه استفاده از كارت هاي پلاستيكي براي شناسايي افراد به حدود سال ۱۹۵۰ بر مي
گردد. كلوپ اشرافي داينرز ۱
در آمريكا يكي از اولين جاهايي بود كه اين كارت ها را به
اعضايش ارائه نمود در آن زمان از بدنه پلاستيكي كارت بسادگي براي نوشتن نام و
مشخصات دارندة كارت بصورت حروف برجسته استفاده مي شد و كارت نقشي شبيه به
كارت هاي اعتباري امروزي ايفا مي نمود.
پيشرفت در زمينه استفاده از كارت ه ا, با ايجاد نوار مغناطيسي بر روي كارت كه توسط
ماشين مخصوص قابل خواندن و نوشتن بود , سرعت گرفت و وارد مرحله جديدي شد كه
دراين كارت هاي مغناطيسي علاوه بر روشهاي برجس ته كاري حروف بر روي بدنه
پلاستيكي كارت , اطلاعات اضافي تا حدود ۱۰۰۰ بيت بر روي نوار مغناطيسي قابل ذخيره
سازي مي باش د. به علت خودكار شدن نسبي فرآيند بررسي اعتبار كارت توسط ماشين و
به دليل امكان ارتباط لحظه اي با سيستم مركزي, امنيت اين نوع كارت ها نسبت به كا ر ت
هاي حروف برجسته بيشتر اس ت . كارت هاي مغناطيسي بخصوص در صنعت بانكداري و
امور مالي – اعتباري بيشترين محبوبيت را كسب نمودند . با وجود اين محبوبي ت , سطح
امنيتي ارائه شده توسط كارتهاي مغناطيسي پائين بوده و تقلب در اين سيستم ها ضررهاي
زيادي را متوجه سازمان هاي ار ائه دهندة كارت ها نموده است . اين امر بخاطر آنست كه با
داشتن يك ماشين استاندارد خواندن و نوشتن نوار مغناطيسي , محتواي اطلاعات ثبت شده
۱ Diners
۱۶
در اين نوع كارت ها ب ه راحتي قابل دستكاري و جعل مي باش ند. تلاش هايي براي امن كردن
كارت هاي مغناطيسي از طرف سازندگان صورت گرفته است.
بعنوان مثال در چك كارت هاي آلماني يك ك د نامرئي و غيرقابل تغيير در بخشي از بدنة
كارت قرار داده مي شود كه اين ك د توسط ترمينال خوانده شده و با اطلاعات نوار
مغناطيسي مقايسه مي شود بدين ترتيب تغيير ات محتوي نوار مغناطيسي قابل كشف مي
شود. با وجود اين اولا هزينه دستگاه هاي مخصوص بكار رفته در ترمينال در اين نوع
سيستم بالا است, ثانياً امنيت حاصله از اين روش چندان محبوبيت پيدا نكرده است.
وجود مشكلات كارت هاي مغناطيسي از يك طرف و پيشرفت تكنولوژي نيمه ه ادي ه ا از
ديگر سو موجب گرديد تا تحقيقات بر روي امكان استف اده از تراشه هاي نيمه ه ادي در
كارت ها شروع گر د د.
در سال ۱۹۶۸ , دو محقق آلماني ۱
ايده كارت داراي مدار مجتمع را معرفي نمودند . در سال
۱۹۷۴ يك محقق فرانسوي با معرفي ايده كاربرد ريزپردازنده در تراشه كارت عنوان كارت
هوشمند را معرفي نمود . بدين ترتيب و با پيشرفت سريع توليد تراشه هاي نيمه ه ادي با
ابعاد ريز , امكان ايجاد كارت هاي به معني واقعي هوشمند كه ب ه منزلة يك رايانة كوچك
قابل حمل بودند ,فراهم گرديد. كارت هاي هوشمند هم از لحاظ ميزان حافظه موجود براي
ذخيره سازي اطلاعات و هم به لحاظ امنيت فيزيكي و منطقي از كارت هاي مغناطيسي
[ قديمي برترند.


راهنمای خرید فایل از سایت : برای خرید فایل روی دکمه سبز رنگ (خرید و دانلود) کلیک کنید سپس در فیلدهای خالی آدرس ایمیل و سایر اطلاعات خودتون رو بنویسید سپس دکمه ادامه خرید رو کلیک کنید . در این مرحله به صورت آنلاین به بانک متصل خواهید شد و پس از وارد کردن اطلاعات بانک از قبیل شماره کارت و پسورد خرید فایل را انجام خواهد شد . تمام این مراحل به صورت کاملا امن انجام میشود در صورت بروز مشکل با شماره موبایل ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید و یا به ایمیل info.sitetafrihi@gmail.com پیام بفرستید .


عتیقه زیرخاکی گنج