• بازدید : 147 views
  • بدون نظر
دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک طراحی مدار مجتمع یکپارچه مبدل اندازه لکه و فتودتکتور موجبری بر روی زیر لایه InP در پنجره ۱٫۵۵μm,پایان نامه کارشناسی ارشد برق,پروژه کارشناسی ارشد رشته برق,دانلود رایگان پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود رایگان پایان نامه word رشته برق,دانلود پایان نامه و پروژه pdf و word کارشناسی ارشد برق,خرید و فروش و انجام پایان نامه و پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود پروژه پایان نامه مهندسی ارشد رشته برق گرایش الکترونیک,پروژه و پایان نامه ارشد برق گرایش الکترونیک,دانلود تحقیق و مقاله کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک,دانلود پایان نامه درباره طراحی مدار مجتمع یکپارچه مبدل اندازه لکه و فتودتکتور موجبری بر روی زیر لایه InP در پنجره ۱٫۵۵μm,دانلود پروپوزال کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق گرایش الکترونیک,دانلود پروژه و پایان نامه آماده دانشجویی رشته برق الکترونیک


با سلام گرم خدمت تمام دانشجویان عزیز و گرامی . در این پست دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک طراحی مدار مجتمع یکپارچه مبدل اندازه لکه و فتودتکتور موجبری بر روی زیر لایه InP در پنجره ۱٫۵۵μm رو برای عزیزان دانشجوی رشته برق گرایش الکترونیک قرار دادیم . این پروژه پایان نامه در قالب ۱۳۶ صفحه به زبان فارسی میباشد . فرمت پایان نامه به صورت پی دی اف PDF هست و قیمت پایان نامه نیز با تخفیف ۵۰ درصدی فقط ۱۴ هزار تومان میباشد …

از این پروژه و پایان نامه آماده میتوانید در نگارش متن پایان نامه خودتون استفاده کرده و یک پایان نامه خوب رو تحویل استاد دهید .

توجه : برای خرید این پروژه و پایان نامه با فرمت تمام متنی word و قابل ویرایش با شماره ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید .

دانشگاه آزاد اسلامی
واحد تهران جنوب
دانشکده تحصیلات تکمیلی
پایان نامه جهت دریافت درجه کارشناسی ارشد
رشته برق – گرایش الکترونیک
عنوان پایان نامه: طراحی مدار مجتمع یکپارچه مبدل اندازه لکه و فتودتکتور موجبری بر روی زیر لایه InP در پنجره ۱٫۵۵μm


عنوان مطالب شماره صفحه

چكيده ۱
مقدمه ۲
فصل اول: كليات ۳
۱-۱ ) هدف ۴
۲-۱ ) پيشينه تحقيق ۴
۳-۱ ) روش تحقيق ۱۴
فصل دوم: ادوات فعال نوري با قابليت مجتمع سازي ۱۶
۱-۲ ) مقدمه ۱۷
با تابش عمودي ۱۹ PIN 2-2 ) آشكارساز نوري
با تابش عمودي ۲۰ PIN 1-2-2 ) بازده كوانتومي و پهناي باند در آشكارساز
با تابش جانبي (آشكارساز موجبري) ۲۵ PIN 3-2 ) آشكارساز نوري
۱-۳-۲ ) بازده كوانتومي آشكارساز موجبري ۲۶
۲-۳-۲ ) بهينه سازي ساختمان آشكارساز موجبري ۲۸
۳-۳-۲ ) طراحي نوري آشكارساز موجبري ۳۱
۴-۳-۲ ) طراحي الكتريكي آشكارساز موجبري ۳۴
با ساختار موجبر دوقلو ۳۸ PIN 4-2 ) آشكارساز نوري
۱-۴-۲ ) طراحي نوري آشكارساز موجبر دوقلو ۴۳
۲-۴-۲ ) طراحي الكتريكي آشكارساز موجبر دوقلو ۴۸
۳-۴-۲ ) بهينه سازي نوري ۵۰
۵-۲ ) تقويت كننده نوري و ليزر نيمه هادي ۵۲
۱-۵-۲ ) مفهوم تقويت كنندگي ۵۴
ز
۶-۲ ) نتيجه گيري ۵۶
فصل سوم: مبدل اندازه لكه ۶۳
۱-۳ ) مقدمه ۶۴
۲-۳ ) روش هاي تزويج نور به فيبر نوري ۶۴
۱-۲-۳ ) استفاده از فيبر نوك تيز ۶۴
۲-۲-۳ ) استفاده از لنز ۶۴
۳-۲-۳ ) آرايه فيبر ۶۶
۳-۳ ) قطر ميدان مود ۶۸
۴-۳ ) تلفات عدم تطابق مود ۶۹
۵-۳ ) انواع مبدل اندازه لكه ۷۱
۷۲ (A 1-5-3 ) مبدل اندازه لكه تك مود يا آدياباتيك (طبقه
۷۳ (I 2-5-3 ) مبدل اندازه لكه تداخلي يا چند موده (طبقه
۷۳ (I+A 3-5-3 ) مبدل اندازه لكه هيبريد آدياباتيك/تداخلي (طبقه
۷۳ (A/L 4-5-3 ) مبدل اندازه لكه آدياباتيك افقي (طبقه
۷۳ (A/T 5-5-3 ) مبدل اندازه لكه متقاطع آدياباتيك (طبقه
۷۴ (A/L+T 6-5-3 ) مبدل اندازه لكه هيبريد آدياباتيك (طبقه
۷۵ (I/L 7-5-3 ) مبدل اندازه لكه افقي تداخلي (طبقه
۷۶ (I/T 8-5-3 ) مبدل اندازه لكه متقاطع تداخلي (طبقه
۷۷ (I/L+T 9-5-3 ) مبدل اندازه لكه هيبريد تداخلي (طبقه
۶-۳ ) نتيجه گيري ۷۷
فصل چهارم: طراحي و مجتم عسازي مبدل اندازه لكه با ادوات فعال نوري ۷۸
۱-۴ ) مقدمه ۷۹
n 2-4 ) مبدل اندازه لكه بر روي زيرلايه ++-InP 79
n 1-2-4 ) شبيه سازي مبدل اندازه لكه بر روي زيرلايه ++-InP 81
ح
۸۳ ARROW 3-4 ) مفهوم ساختار
با استفاده از ساختار (SI-InP) نيمه عايقي InP 4-4 ) مبدل اندازه لكه بر روي زيرلايه
ARROW
۸۵
۸۷ SI-InP 1-4-4 ) شبيه سازي مبدل اندازه لكه بر روي زيرلايه
۹۱ FMW 2-4-4 ) ضخامت لايه
۹۳ FMW 3-4-4 ) عرض موجبر
يكسان ۹۶ InGaAsP با ضخامت لايه SI-InP 5-4 ) مبدل اندازه لكه بر روي زيرلايه
با ضخامت لايه SI-InP 1-5-4 ) شبيه سازي مبدل اندازه لكه بر روي زيرلايه
يكسان InGaAsP
۹۷
۹۹ FMW 2-5-4 ) ضخامت لايه
۱۰۰ FMW 3-5-4 ) عرض موجبر
۶-۴ ) مجتمع سازي مبدل اندازه لكه با ادوات نوري ۱۰۳
۷-۴ ) نتيجه گيري ۱۰۵
فصل پنجم: نتيجه گيري و پيشنهادات ۱۰۶
نتيجه گيري ۱۰۷
پيوست ها ۱۰۸
ط
فهرست مطالب
عنوان مطالب شماره صفحه
منابع و ماخذ ۱۱۰
فهرست منابع لاتين ۱۱۰
سايت هاي اطلاع رساني ۱۱۹
چكيده انگليسي ۱۲۰
ي
فهرست شك لها
عنوان شماره
صفحه
با پيشرفت تكنولوژي. ۴ BL 1: رشد – شكل ۱
۲: فيبر لنزدار. ۶ – شكل ۱
۳: موجبر تيپر شده. ۶ – شكل ۱
۴: عرض مود به عنوان تابعي از عرض هسته ۶ – شكل ۱
۵: ساختار اوليه تيپر سه بعدي پيشنهادي بين ليزر و فيبر. ۸ – شكل ۱
۶: دو نوع تيپر سه بعدي: (الف) تيپر معكوس شده، (ب) تيپر معمولي. ۹ – شكل ۱
۹ .NTT 7: طرحواره مبدل اندازه لكه ساخته شده توسط شركت – شكل ۱
۸: طرحواره تيپر عرضي معكوس جهت تزويج مستقيم به فيبر نوري. ۱۰ – شكل ۱
۹: موجبر (الف)توسعه دهنده مود، (ب) موجبر با قطعات متناوب. ۱۰ – شكل ۱
۱۰ : تيپر موجبر با قطعات غير متناوب. ۱۱ – شكل ۱
ب) تلفات انتشار به عنوان تابعي از عرض موجبر. ۱۲ ) ،SOI ( 11 : طرحواره (الف – شكل ۱
۱۲ : تزويجگر توري عمودي مابين موجبر و فيبر نوري. ۱۲ – شكل ۱
الف) انتشار نور در ساختار، (ب) تلفات تيپر ) Soare 13 : مبدل طراحي شده توسط – شكل ۱
بر حسب طول هاي مختلف تيپر عمودي.
۱۳
به صورت مجتمع با ليزر. ۱۳ Mesel 14 : طرحواره تيپر طراحي شده توسط – شكل ۱
۱۵ : آشكارساز نوري عمودي. ۱۴ – شكل ۱
۱۵ .RCE 16 : آشكارسازهاي با فضاي تكرار – شكل ۱
۱۷ : آشكارساز نوري موجبري. ۱۶ – شكل ۱
۱۷ .TWPD 18 : آشكارساز نوري – شكل ۱
آشكارساز نوري، =PD ، مدولاتور =MOD) 1: شبكه ارتباط نوري – شكل ۲
پيش تقويت كننده). =Pre-Amp
۲۰
ك
الف) تابش عمودي، (ب) تابش جانبي. ۱۹ ) PIN 2: آشكارساز نوري – شكل ۲
۲۰ .PIN 3: دياگرام باند انرژي آشكارساز – شكل ۲
از سطح ماده. ۲۰ x 4: كاهش توان در فاصله – شكل ۲
۵: وابستگي ضريب جذب به طول موج مواد نيمه هادي متفاوت. ۲۱ – شكل ۲
۶: قابليت پاسخ دهي مواد مختلف در طول موج هاي متفاوت. ۲۳ – شكل ۲
۲۴ .PIN 7: پاسخ ولتاژ آشكارساز – شكل ۲
۸: آشكارساز موجبري. ۲۶ – شكل ۲
۹: طرحواره سطح مقطع آشكارساز موجبري. ۲۹ – شكل ۲
به عنوان تابعي از ضخامت لايه InGaAs 10 : جذب ميدان نوري در لايه اتصال – شكل ۲
پوششي.
۲۹
بر حسب سطح آلايش. ۳۰ InP 11 : تلفات نوري و مقاومت لايه پوشش – شكل ۲
۱۲ : بازده كوانتومي داخلي به عنوان تابعي از طول آشكارساز و ضخامت لايه فعال. ۳۲ – شكل ۲
۱۳ : توان نوري نرماليزه شده به عنوان تابعي جهت انتشار. ۳۲ – شكل ۲
۱۴ : مسير عبور نور در آشكارساز موجبري. ۳۲ – شكل ۲
۱۵ : توان نوري در آشكارساز موجبري. ۳۳ – شكل ۲
۳۴ .InGaAs 16 : سرعت حامل ها در – شكل ۲
۱۷ : مدل مداري آشكارساز موجبري. ۳۵ – شكل ۲
۱۸ : مدار معادل سيگنال كوچك آشكارساز موجبري. ۳۵ – شكل ۲
۱۹ : پهناي باند (الف) تابعي از ضخامت لايه تخليه براي طول هاي متفاوت و عرض – شكل ۲
.۵۰۰nm 2، (ب) تابعي از طول براي عرض هاي متفاوت و ضخامت لايه تخليه .m
۳۶
از n به شكل تابعي از (الف) عرض، (ب) ضخامت لاي ه بافر نوع RC 20 : پهناي باند – شكل ۲
، p-InP د) ضخامت لايه پوشش پاييني ) ،p. InP ج) سطح آلايش پوشش ) ،n-InP جنس
Ln ( (و) ضخامت لايه موجبري، (ه
۳۷
مربوط به دو آشكارساز موجبري با دو قسمت برآمده متفاوت. ۳۸ RF 21 : تضعيف – شكل ۲
ل
۲۲ : طرحواره (الف) تزويجگر عمودي، (ب) برش عرضي از آشكارساز موجبر دوقلو. ۳۹ – شكل ۲
۲۳ : آشكارساز موجبر دوقلو (الف) سطح مقطع طولي، (ب) سطح مقطع عرضي. ۴۱ – شكل ۲
در آشكارساز موجبري دوقلو، (ب) دياگرام باند PIN 24 : طرحواره (الف) آشكارساز – شكل ۲
انرژي.
۴۳
۲۵ : ميدان هاي الكتريكي و مغناطيسي در موجبر غيرفعال ورودي (خط قرمز ) و آشكارساز – شكل ۲
موجبر دوقلو براي مود اصلي (-) و مود مرتبه اول (.-).
۴۵
۲۶ : مسير عبور نور در آشكارساز موجبر دوقلو. ۴۶ – شكل ۲
۲۷ : منحني شارش توان. ۴۶ – شكل ۲
۲۸ : مسير عبور نور در آشكارساز موجبر دوقلو با كاهش فاصله ميان دو موجبر. ۴۷ – شكل ۲
۲۹ : منحني شارش توان با كاهش فاصله ميان دو موجبر. ۴۷ – شكل ۲
۳۰ : مسير عبور نور در آشكارساز موجبر دوقلو با افزايش فاصله ميان دو موجبر. ۴۷ – شكل ۲
۳۱ : منحني شارش توان با افزايش فاصله ميان دو موجبر. ۴۸ – شكل ۲
مربوط به آشكارساز موجبري دوقلو. ۴۹ RC 32 : المان هاي – شكل ۲
به عنوان تابعي از ضخامت و طول آشكارساز. ۵۱ PIN 33 : بازده تزويج آشكارساز نوري – شكل ۲
۳۴ : طرحواره تقويت كننده نوري نيمه هادي. ۵۲ – شكل ۲
۳۵ : كاربرد انواع تقويت كننده ها در لينك انتقال نوري. ۵۳ – شكل ۲
۳۶ : فرآيندهاي (الف) جذب، (ب) گسيل خودبخودي، (ج) گسيل القايي. ۵۴ – شكل ۲
۵۵ .N-n-P 37 : دياگرام باند انرژي در باياس مستقيم ساختار – شكل ۲
۳۸ : ساختاري از تقويت كننده نوري نيمه هادي. ۵۵ – شكل ۲
۳۹ : ليزر كاواك توسعه يافته. ۵۶ – شكل ۲
نمونه و طيف آن در جريان هاي تزريقي مختلف. ۵۹ LI 40 : منحني – شكل ۲
ليزرهاي كاواك توسعه يافته با طول هاي تقويت كننده نوري نيم ه LI 41 : منحني هاي – شكل ۲
هادي مختلف.
۶۰
۶۰۰ ، (ب) به ۶۲ .m 4.3 با بخش هاي فعال (الف) به طول mm 42 : طيف ليزر با كاواك – شكل ۲
م
.۷۰۰٫m طول
۱: انواع فيبر نوك تيز. ۶۵ – شكل ۳
۲: مجموعه اي از ميكرولنزها. ۶۵ – شكل ۳
۳: مجموعه اي از ميكرولنزها (الف) دايروي، (ب) مربعي، (ج) استوانه اي. ۶۶ – شكل ۳
۴: آرايه فيبر. ۶۷ – شكل ۳
شكل. ۶۷ v 5: برش عرضي فيبر تك مود كانال – شكل ۳
۶: آرايه فيبر هشت كاناله. ۶۷ – شكل ۳
۷: مفهوم قطر ميدان مود. ۶۸ – شكل ۳
۸: تزويج نور از تراشه به فيبر. ۶۹ – شكل ۳
موجبر. ۷۱ MFDy ( ج) ،MFDx 9: (الف) نمودار ميدان موجبر، (ب) مقادير – شكل ۳
۷۳ .A/L 10 : مبدل اندازه لكه آدياباتيك افقي – شكل ۳
۱۱ : مبدل اندازه لكه متقاطع آدياباتيك (الف) ساختار مدفون، (ب) طرح نواري. ۷۴ – شكل ۳
۱۲ : انواع مختلف مبدل اندازه لكه هيبريد آدياباتيك. ۷۵ – شكل ۳
۱۳ : مبدل اندازه لكه افقي تداخلي. ۷۶ – شكل ۳
۱۴ : مبدل اندازه لكه متقاطع تداخلي. ۷۶ – شكل ۳
۱۵ : شكل تداخلي بعد از فاصله انتشار. ۷۶ – شكل ۳
۱۶ : مبدل اندازه لكه هيبريد تداخلي. ۷۷ – شكل ۳
n 1: نماي سه بعدي مبدل اندازه لكه بر روي زيرلايه – شكل ۴ ++-InP 79 .
n 2: سطح مقطع طول مبدل اندازه لكه بر پايه – شكل ۴ ++-InP 80 .
۸۲ .(۱- مشخص شده در شكل ( ۴ Z تا ۵ Z 3: ميدان نوري در مقاطع ۰ – شكل ۴
۸۲ .FMW 4: انتقال توان از موجبر كم عمق به موجبر – شكل ۴
۵: موجبر سه لايه سيليكوني. ۸۳ – شكل ۴
ب) نمودار ضريب شكست ساختار ) ،ARROW 6: طرحواره (الف) ساختار – شكل ۴
.ARROW
۸۴
ن
۸۴ .ARROW 7: انواع ساختار موجبر – شكل ۴
۸۵ .AC 8: مبدل اندازه لكه بر پايه لايه هاي – شكل ۴
۸۷ .SI-InP 9: نماي سه بعدي مبدل اندازه لكه بر پايه – شكل ۴
– در شكل ۴ ) Z تا ۵ Z در سطح مقطع هاي مختلف ۰ TE 10 : توزيع ميدان نوري مود – شكل ۴
.(۹
۸۸
بصورت مجتمع با ادوات فعال نوري. ۸۹ SI-InP 11 : سطح مقطع طولي مبدل بر پايه – شكل ۴
۸۹ .FMW 12 : انتقال توان از موجبر كم عمق به موجبر – شكل ۴
۹۰ .FMW 13 : انتقال توان از موجبر كم عمق به موجبر – شكل ۴
۱۴ : تلفات تيپر بر حسب طول تيپر. ۹۰ – شكل ۴
n 15 : ميزان تفاوت ضريب شكست وابسته به ميزان آلايش لايه – شكل ۴ ++-InP 91 .
۹۲ .FMW 16 : انتشار مود اصلي در موجبر – شكل ۴
۹۲ .FMW براي ضخامت هاي مختلف لايه MFD 17 : مقادير – شكل ۴
۱۸ : ميزان عدم تطابق مود بين موجبر و فيبر نوري براي ضخامت لايه مختلف – شكل ۴
.FMW
۹۳
۱۹ : عدم تطابق مود بين موجبر و فيبر نوري بر حسب ضرايب شكست مختلف. ۹۴ – شكل ۴
در هنگام FMW 20 : نمودار تلفات عدم تطابق مود بر حسب ضخامت مختلف لايه – شكل ۴
.MFDfibre=10.m تزويج به فيبر با
۹۵
در هنگام FMW 21 : نمودار تلفات عدم تطابق مود بر حسب ضخامت مختلف لايه – شكل ۴
.MFDfibre=7.m تزويج به فيبر با
۹۵
در هنگام FMW 22 : نمودار تلفات عدم تطابق مود بر حسب ضخامت مختلف لايه – شكل ۴
.MFDfibre=4.m تزويج به فيبر با
۹۶
۲۳ : تلفات تيپر بر حسب طول تيپر. ۹۶ – شكل ۴
– در شكل ۴ ) Z تا ۵ Z در سطح مقطع هاي مختلف ۰ TE 24 : توزيع ميدان نوري مود – شكل ۴
.(۹
۹۸
(د) (ج)
س
۹۸ .FMW 25 : انتقال توان از موجبر كم عمق به موجبر – شكل ۴
۹۹ .FMW 26 : انتقال توان از موجبر كم عمق به موجبر – شكل ۴
۲۷ : تلفات تيپر بر حسب طول تيپر. ۹۹ – شكل ۴
۲۸ : ميزان عدم تطابق مود بين موجبر و فيبر نوري براي ضخامت لايه مختلف – شكل ۴
.FMW
۱۰۰
۲۹ : عدم تطابق مود بين موجبر و فيبر نوري بر حسب ضرايب شكست مختلف. ۱۰۰ – شكل ۴
در هنگام FMW 30 : نمودار تلفات عدم تطابق مود بر حسب ضخامت مختلف لايه – شكل ۴
.MFDfibre=10.m تزويج به فيبر با
۱۰۱
در هنگام FMW 31 : نمودار تلفات عدم تطابق مود بر حسب ضخامت مختلف لايه – شكل ۴
.MFDfibre=7.m تزويج به فيبر با
۱۰۲
در هنگام FM 32 : نمودار تلفات عدم تطابق مود بر حسب ضخامت مختلف لايه – شكل ۴
.MFDfibre=4.m تزويج به فيبر با
۱۰۲
۳۳ : تلفات تيپر بر حسب طول تيپر. ۱۰۳ – شكل ۴
۳۴ : مجتمع سازي مبدل اندازه لكه با ادوات فعال. ۱۰۳ – شكل ۴
۳۵ : مجتمع سازي مبدل اندازه لكه با آشكارساز نوري موجبري. ۱۰۴ – شكل ۴
۳۶ : مجتمع سازي ليزر با مبدل اندازه لكه. ۱۰۵ – شكل ۴
.Z و ۵ Z در سطح مقطع هاي مختلف ۰ TE 1: توزيع ميدان نوري مود – شكل ۵
.FMW 2: انتقال توان از موجبر كم عمق به موجبر – شكل ۵
۳: تلفات تيپر بر حسب طول تيپر. – شكل ۵
.FMW 4: ميزان عدم تطابق مود بين موجبر و فيبر نوري براي ضخامت لايه مختلف – شكل ۵
۵: عدم تطابق مود بين موجبر و فيبر نوري بر حسب ضرايب شكست مختلف. – شكل ۵
۶: تلفات تيپر بر حسب طول تيپر. – شكل ۵
۷: مجتمع سازي مبدل اندازه لكه با آشكارساز نوري موجبري. – شكل ۵
۸: مجتمع سازي ليزر با مبدل اندازه لكه. – شكل ۵
ع
فهرست جداول
عنوان شماره صفحه
۳۴ .InGaAs 1: پارامترهاي الكتريكي ماده – جدول ۲
۲: خواص مواد مختلف. ۴۲ – جدول ۲
۳: مشخصات لايه هاي آشكارساز موجبر دوقلو. ۵۱ – جدول ۲
۱: دسته بندي انواع تيپر. ۷۲ – جدول ۳
n 1: مشخصات لايه هاي مبدل اندازه لكه بر روي زيرلايه – جدول ۴ ++-InP 81
۸۶ .SI-InP 2: خصوصيات لايه هاي مبدل بر روي زيرلايه – جدول ۴
MFD 3: ميزان تلفات عدم تطابق مود براي تزويج نور از موجبر به فيبر با – جدول ۴
متفاوت.
۹۴
۹۷ .SI-InP 4: خصوصيات لايه هاي مبدل بر روي زيرلايه – جدول ۴
MFD 5: ميزان تلفات عدم تطابق مود براي تزويج نور از موجبر به فيبر با – جدول ۴
متفاوت.
۱۰۱
متفاوت. MFD 1: ميزان تلفات عدم تطابق مود براي تزويج نور از موجبر به فيبر با – جدول ۵
۱
چكيده:
در پنجره طول InP/InGaAsP در اين پايان نامه، طراحي و شبيه سازي مبدل اندازه ل كه مبتني بر مواد
۱٫۵۵ ارائه شده است . در ابتدا ساختار و عملكرد ادوات فعال و غيرفعال نوري كه داراي .m موج
قابليت مجتمع سازي با مبدل اندازه لكه هستند، مورد بررسي قرار گرفته است . سپس طراحي يك
۱٫۵ و عرض ورودي mm 0.2 و mm مبدل اندازه لكه هيبريد بر پايه دو نوع تيپر افقي و عمودي به طول
۱۰ بر روي زيرلايه .m× ۵٫m 10 ، براي ايجاد مود اصلي خروجي با پهناي پرتو گوسي .m 2 و .m
۱۰ با يكديگر GHz انجام شده است . براي اينكه بتوان ادوات فعال را در فركانس هاي بالاتر از n++-InP
مي باشد، لذا براي طراحي مبدل اندازه لكه InP(SI-InP) مجتمع سازي نم ود نياز به زيرلايه نيمه عايقي
نوع و ضخامت لايه هاي ساختار مشخص ،ARROW بر اساس مفهوم ساختار ، SI-InP بر روي زيرلايه
OPTIWAVE و COMSOL گرديده و در دو سطح مقطع طولي و عرضي مبدل در نرم افزارهاي
شبيه سازي انج ام شده است . پس از انجام كليه شبيه سازي ها براي طول هاي مختلف تيپر و بررسي
نمودارهاي حاصل از تغييرات ضريب شكست و ضخامت هاي مختلف لايه هاي مبدل، ساختار بهينه اي
۱ ايجاد شد . در انتها، قابليت مجتمع سازي مبدل با ادوات نوري همچون dB با تلفات تزويج كمتر از
مورد بررسي قرار گرفته است. OPTIWAVE آشكارساز و ليزر توسط نرم افزار
۲
مقدمه
رشد سريع مخابرات نوري ، نياز به مجتمع سازي ادوات فوتونيكي بر روي يك تراشه جهت افزايش
سرعت و كاهش هزينه بسته بندي را افزايش داده است . تزويج مؤثر همراه با تلفات كم از فيبر نوري به
تراشه و با لعكس بخش عمده اي از هزينه ساخت و بسته بندي مدار مجتمع نوري را تشكيل مي دهد. در
ابتدا از ميكرولنز و فيبر نوك تيز جهت كاهش تلفات تزويج استفاده شد اما اين تكنولوژي ها تلورانس
تطبيق زيادي نياز داشته و هزينه بسته بندي را افزايش مي دهند. با استفاده از مبدل انداز ه لكه به
صورت مجتمع با ساير ادوات نوري، تزويج مؤثر از فيبر به تراشه ايجاد م يگردد.
در فصل يك ، كليات اين پايان نامه شامل : هدف، پي شينه تحقيق و نحوه انجام پايان نامه بررسي شده
است. در فصل دوم به بررسي عملكرد و ساختار ادوات نوري همچون آشكارساز و تقويت كننده نو ري و
ليزر، جهت مجتمع سازي با مبدل اندازه لكه پرداخته شده است . در فصل سوم، انواع روش هاي تزويج
از فيبر به تراشه و ساختارهاي مختلف مبدل اندازه لكه ارائه گرديده است. در فصل چهارم يك نوع
،SI-InP و n++-InP مبدل لكه هيبريد با استفاده از دو تيپر افقي و عمودي، بر روي زيرلايه هاي
OPTIWAVE و COMSOL طراحي و شبيه سازي شده است . براي شبيه سازي از نرم افزارهاي
استفاده شده است. اين مبدل قابليت مجتمع سازي با ادوات فعال و غيرفعال نوري را دارد كه تا نرخ
۴۰ كار مي كند. در فصل پنجم به بيان نتيجه گيري و ارائه پيشنهادات پرداخته شده است. Gb/s بيت
۳
فصل اول
كليات
۴
۱-۱ ) هدف
امروزه با توجه به سرعت توليد علم و نياز به افزايش ظرفيت تبادل اطلاعات ، از شبكه انتقال فيبر
نوري استفاده مي شود ت ا با ارائه پهناي باند بيشتر همراه با سرعت زياد اطلاعات در اختيار كاربران قرار
گيرد. فرستنده، گيرنده، آشكارساز نوري، تقويت كننده ها و ادوات غيرفعال از قبيل مقسم هاي توان در
مقياس ميكرو و نانو اجزاي شبكه فيبر نوري را تشكيل مي دهند كه اغلب به صورت مجتمع روي يك
تراشه قرار مي گيرند. پس از مجتمع سازي بايد نور توليد شده از تراشه به فيبر نور ي يا با لعكس تزويج
گردد ولي با توجه به اينكه قطر لكه در فيبر نوري استاندارد از مرتبه ميكرومتر و در مدار مجتمع
نوري از مرتبه نانومتر مي باشد بايد براي داشتن تزويج مؤثر و تغيير قطر لكه از مبدل اندازه لكه
استفاده شود . مبدل ها ادواتي هستند كه به آرامي با تغيير قطر لك ه تزويج مؤثر نور از تراشه به فيبر و
در پنجره طول InP يا بالعكس را فراهم مي كنند. در اين پايان نامه مبدل اندازه لكه بر روي زيرلايه
۱٫۵۵ طراحي و شبيه سازي شده كه قابليت مجتمع سازي با ادوات فعال نوري همچون .m موج
آشكارساز نوري و ليزر را دارا مي باشد.
۲-۱ )پيشينه تحقيق
تحقيقات در مورد سيستم هاي مخابرات نوري از سال ۱۹۶۰ آغاز شده و در طي سال هاي گذشته
با پيشرفت تكنولوژي نشان داده شده BL 1) رشد – پيشرفت هاي قابل توجهي داشته است . در شكل ( ۱
فاصله تكراركننده مي باشد. L نرخ انتقال اطلاعات و B است كه
با پيشرفت تكنولوژي. BL 1: رشد – شكل ۱
Year
Capacity-Distance [Gb/s.km]
۵
در هر سال و ايجاد تحول اساسي در بازده سيستم هاي BL خط مستقيم نشان دهنده دو برابر شدن
۰٫۸ و با .m مخابرات نوري در هر نسل مي باشد[ ۱]. نسل اول سيستم هاي مخابرات نوري در طول موج
۱۹۷۵ ايجاد شد و شكل تجاري آن در سال – در سال هاي ۱۹۷۹ GaAs استفاده از ليزرهاي نيمه هادي
۱٫۳ كمتر از .m 1980 مورد استفاده قرار گرفت [ ۱] . با توجه به اينكه تلفات فيبر نوري در پنجره
۱٫۳٫m 1 بود، عمده تحقيقات بر روي ليزرها و آشكارسازهاي نيمه هادي در طول موج dB/km
۱۰۰Mb/sec متمركز شد . نسل دوم سيستم هاي مخابرات نوري در اوايل سال هاي ۱۹۸۰ با نرخ بيت
در آزمايشگاه به نمايش گذاشته شد [ ۱]. با استفاده از فيبر نوري تك مود، نرخ انتقال اطلاعات به
۱٫۵۵ كمترين تضعيف را دارد .m 2 رسيد[ ۱]. تحقيقات نشان داد كه فيبر نوري در طول موج Gb/sec
۱٫۵۵ با ك مي تأخير نسبت به دو نسل .m بنابراين نسل سوم سيستم هاي نوري در طول موج كاري
۱٫۵۵ داراي .m قبل وارد بازار شد . فيبر نوري عليرغم داشتن تضعيف بسيار كم در طول موج
پاشندگي قابل توجهي بود كه براي حل اين مشكل فيبر نوري با پاشندگي شيفت داده شده ۱ طراحي
و ساخته شد . نسل چهارم سيستم هاي مخابرات نوري با استفاده از تقويت كننده هاي نوري و مقسم
طول موج ۲ بوجود آمد كه ارسال و دريافت چندين طول موج بر روي يك فيبر نوري را امكان پذير
مي ساخت

راهنمای خرید فایل از سایت : برای خرید فایل روی دکمه سبز رنگ (خرید و دانلود) کلیک کنید سپس در فیلدهای خالی آدرس ایمیل و سایر اطلاعات خودتون رو بنویسید سپس دکمه ادامه خرید رو کلیک کنید . در این مرحله به صورت آنلاین به بانک متصل خواهید شد و پس از وارد کردن اطلاعات بانک از قبیل شماره کارت و پسورد خرید فایل را انجام خواهد شد . تمام این مراحل به صورت کاملا امن انجام میشود در صورت بروز مشکل با شماره موبایل ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید و یا به ایمیل info.sitetafrihi@gmail.com پیام بفرستید .


عتیقه زیرخاکی گنج