• بازدید : 105 views
  • بدون نظر
دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال,پایان نامه کارشناسی ارشد برق,پروژه کارشناسی ارشد رشته برق,دانلود رایگان پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود رایگان پایان نامه word رشته برق,دانلود پایان نامه و پروژه pdf و word کارشناسی ارشد برق,خرید و فروش و انجام پایان نامه و پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود پروژه پایان نامه مهندسی ارشد رشته برق گرایش الکترونیک,پروژه و پایان نامه ارشد برق گرایش مخابرات,دانلود تحقیق و مقاله کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات ,دانلود پایان نامه درباره نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال,دانلود پروپوزال کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق گرایش الکترونیک,دانلود پروژه و پایان نامه آماده دانشجویی رشته برق الکترونیک


با سلام گرم خدمت تمام دانشجویان عزیز و گرامی . در این پست دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال رو برای عزیزان دانشجوی رشته برق گرایش الکترونیک قرار دادیم . این پروژه پایان نامه در قالب ۹۶ صفحه به زبان فارسی میباشد . فرمت پایان نامه به صورت پی دی اف PDF هست و قیمت پایان نامه نیز با تخفیف ۵۰ درصدی فقط ۱۴ هزار تومان میباشد …

از این پروژه و پایان نامه آماده میتوانید در نگارش متن پایان نامه خودتون استفاده کرده و یک پایان نامه خوب رو تحویل استاد دهید .

توجه : برای خرید این پروژه و پایان نامه با فرمت تمام متنی word و قابل ویرایش با شماره ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید .

دانشگاه آزاد اسلامی
واحد تهران جنوب
دانشکده تحصیلات تکمیلی
پایان نامه جهت دریافت درجه کارشناسی ارشد
رشته برق – گرایش الکترونیک
عنوان پایان نامه: نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال

به همراه فایل شبیه سازی شده برای نرم افزار MATLAB

عنوان مطلب شماره صفحه
چكيده . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۱۵
مقدمه . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . ۱۶
فصل اول : كليات . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۱۸
۱ ) هدف . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۱۹ – ۱
۲ ) پيشينه تحقيق . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۰ – ۱
۳ ) روش كار و تحقيق . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۲ – ۱
۲۳ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CNFET فصل دوم : نانوتيوبهاي كربني و
۱ ) مقدمه . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۴ – ۲
۲ ) ساختار نانو تيوب هاي كربني . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۴ – ۲
۳ ) خواص الكترونيكي نانوتيوب هاي كربني . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۶ – ۲
۴ ) روشهاي رشد نانو تيوب هاي كربني . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۱ – ۲
۱ ) تخليه قوس الكتريكي . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۱ – ۴ – ۲
۲ ) تبخير با تابش ليزري . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۲ – ۴ – ۲
۳۲ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . (CVD) 3 ) رسوب بخار شيميايي – ۴ -۲
۳۳ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ( CNFET ) 5 ) ترانزيستورهاي اثر ميداني با نانوتيوب هاي كربني – ۲
V
فهرست مطالب
عنوان مطلب شماره صفحه
با سد شاتكي. . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۵ CNFET 1 ) ساختار ترانزيستورهاي – ۵ – ۲
۳۹ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .MOSFET با ساختار مشابه CNFET 2 ) ترانزيستورهاي – ۵ – ۲
۶ ) عرض ترانزيستور نانوتيوب كربني. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۰ – ۲
۴۲٫ . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p و n 7 ) ترانزيستورهاي كانال – ۲
۴۳٫ . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. MOSFET با CNFET 8 ) مقايسه ترانزيستور – ۲
۴۴٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ROM در حافظه هاي CNFET 9 ) قابليتهاي ترانزيستور – ۲
۴۵ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . CNFET فصل سوم :مدلسازي
۱ ) مقدمه . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۶ – ۳
۴۷٫ . .. . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CNFET 2 ) ترانزيستورهاي – ۳
بالستيك . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۸ CNFET 3 ) تئوري ترانزيستورهاي – ۳
بالستيك . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۰ CNFET 4 ) مدل عددي ترانزيستور – ۳
بالستيك سازگار با نرم افزارهاي شبيه ساز . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۵ CNFET 5 ) مدل – ۳
۱ )محاسبه بار نانوتيوب. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۵ – ۵ – ۳
۵۸ . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..VGS با استفاده از ولتاژ . S 2 ) تخمين – ۵ – ۳
۳ ) محاسبه خازن كوانتمي گيت . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۰ – ۵ – ۳
W
فهرست مطالب
عنوان مطلب شماره صفحه
۴ ) محاسبه خازنهاي پارازيتي لبه. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . ۶۱ – ۵ – ۳
۶۶٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .HSPICE 6 ) مدل مداري سازگار با – ۳
۷ ) جمع بندي . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۷ – ۳
فصل چهارم : نتايج شبيه سازي. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۹
۱ ) مقدمه . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . ۷۰ – ۴
۷۱٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .@CNFET 2 ) بكار گيري مدل ترانزيستور – ۴
۳ ) تاثير تغييرات قطر بر خواص ترانزيستور . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۳ – ۴
۷۵ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..CNFET 4 ) مدار معكوس كننده با استفاده از ترانزيستور – ۴
با منطق مكمل . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۹ CNFET 5 ) معكوس كننده – ۴
۸۰ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CNFET 6 ) گيت هاي منطقي با استفاده از ترانزيستور – ۴
فصل پنجم : نتيجه گيري و پيشنهادات . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۳
نتيجه گيري . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۴
پيشنهادات . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . ۸۶
منابع و ماخذ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۸
فهرست منابع فارسي. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۹
X
فهرست مطالب
عنوان مطلب شماره صفحه
فهرست منابع لاتين . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . ۸۹
سايت هاي اطلاع رساني. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۹۴
چكيده انگليسي. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۹۵
Y
فهرست جدول ها
عنوان شماره صفحه
ها و ضرايب دي الكتريك آنه ا . مقادير * دار CNFET 1 ) : انواع اكسيد هاي قابل استفاده در – جدول ( ۲
تخميني مي باشند. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۵
۱ ) نتايج بدست آمده از شبيه سازي گيتهاي منطقي با استفاده از مدل ارائه شده . . . . . . . . . . . ۸۱ – جدول ( ۴
QP
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
ج ) zigzag ب) ساختار armchair 1 ): سه س ا ختار معروف نانو تيوبهاي كربني الف )ساختار – شكل ( ۲
۲۵٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .chiral ساختار
مساوي ۵ . شكاف انرژي صفر n و m 2 ): نوارهاي انرژي فرعي رسم شده براي ساختار آرمچير با – شكل( ۲
است . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۷
مي باشد. m 3 ): نمودار شكاف انرژي و قطر نانوتيوب براي ساختار زيگزاگ . محور افقي مبين اندازه – شكل( ۲
۲۸٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
مساوي ۱۴ (الف ) و ۵ (ب). اندازه m 4 ) : نوارهاي انرژي فرعي رسم شده براي ساختار زيگزاگ با – شكل( ۲
شكاف انرژي و تعداد نوارهاي انرژي فرعي در دو حالت قابل مقايسه است. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۸
۵ ): ساختار شماتيك يك ترانزيستور با گيت روين و سه نانوتيوب موازي. . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۴ – شكل ( ۲
۳۶ . . . . . . . off و on با سد شاتكي در دو حالت CNFET 6 ): دياگرام نوار انرژي براي ترانزيستور – شكل ( ۲
مختلف . . . . . . . . . . . ۳۸ Vds ترانزيستور براي سه قطر متفاوت و ولتاژ هاي V gs . Id 7 ): منحني – شكل( ۲
۸ ) : حالت جريان مينيمم ، تاثير كاهش قطر (اضافه شدن نوارهاي بالا و پايين ) و در نتيجه سد – شكل( ۲
پيش روي حامل ها . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۹
۳۹٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MOSFET مشابه CNFET 9 ): شماتيك ساختار ترانزيستور – شكل ( ۲
۱۰ ) : نحوه تاثير ولتاژ گيت بر ارتفاع سد و اشغال شدن زير نوارها توسط حاملهاي تحت تاثير سطح – شكل ( ۲
فرمي درين و سورس. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۰
QQ
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
۱۱ ): ميزان تاثير فاصله گذاري نانوتيوب ها در اندازه جريان و ظرفيت خازني گيت به نانوتيوب.. . ۴۱ – شكل ( ۲
باسد شاتكي نشان داده شده CNFET 1 ): ساختار كلي (الف) و شكل نوار انرژ ي (ب) در ترانزيستور – شكل ( ۳
است. جريان تر انزيستور حاصل از تونل زني حاملها در سد شاتكي بين كانال نانوتيوب كربني و فلز كنتاكت
سورس است. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۷
الف) و نوار انرژي آن (ب). ولتاژ گيت باعث ) MOSFET مشابه CNFET 2 ): ساختار ترانزيستور – شكل ( ۳
مدولاسيون ارتفاع سد در نزديكي سورس و عبور حاملها مي شود و به اين ترتيب جريان ترانزيستور را كنترل
مي كند. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۸
بالستيك .(الف) نحوه تاثير ولتاژ گيت بر ارتفاع CNFET 3 ): مدل ساده اي براي ترانزيستورهاي – شكل ( ۳
سد (ب) نوار انرژي در بالاترين نقطة سد در نزديكي سورس (نقطه شروع كانال ). (ج) مدار معادل خازن ورودي
ترانزيستور. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۰
انتگرال با استفاده از روش هاي عددي حل شده . .P براي مقادير م ت فاوت F 4 ): شكل تابع – شكل ( ۳
است. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۶
منفي(الف) ومثبت(ب). . . . . ۵۸ . S / D 5 ): اختلاف بين حل عددي انتگرال و مدل ساده شده براي – شكل ( ۳
m 1/1 و nm براي نانوتيوبي با قط ر . S ,VGS 6 ): اختلاف بين – شكل ( ۳
pF
= ۶۰ ins و C
را نشان مي دهد. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۹ VDS متفاوت جهت پيكان افزايش اندازه VDS مقادير
QR
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
۷ ) : نحوه تشكيل خازن هاي لبه و پارامترهاي مربوط به آن . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۱ – شكل ( ۳
ضخامت . Lsd 8 ): تغييرات ظرفيت خازني لبه در نانوتيوبهاي مياني و انتهايي براي مقادير مختلف – شكل ( ۳
اكسيد برابر ۲ نانومتر ، تعداد نانوتيوبها ۴ و فاصله آنها ۱۰ نانومتر، ضريب دي الكتريك اكسيد ۱۶ و قطر نانوتيوب
۱/۱ نانومتر فرض شده است . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۴
۹ ): تاثير تعداد نانوتيوبها روي ظرفيت خازني لبه. همانطور كه ديده مي شود با ثابت ماندن فاصله – شكل ( ۳
بين نانوتيوبها هر چه تعداد بالاتر مي رود تاثير نانوتيوبها بر هم افزايش يافته ظرفيت خازني كم مي شود . . . ۶۵
۱۰ ): تاثير فاصله گذاري هاي مختلف نانوتيوبها روي ظرفيت خازني لبه . همانطور كه ديده مي شو د – شكل ( ۳
با ثابت ماندن فاصله بين نانوتيوبها هر چه تعداد بالاتر مي رو د ، تاثير نانوتيوبها بر هم افزايش يافته ظرفيت
خازني كم مي شود. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۵
۱۱ ): تاثير افزايش ضخامت اكسيد بر روي نانوتيوبهاي مياني و انتهايي در آرايه ۴ تايي نانوتيوبها و – شكل ( ۳
نانومتر. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۶ Lsd = اندازه ۴۵
در كاربرد ديجيتال . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۶ CNFET 12 ): مدار معادل كامل ترانزيستور – شكل ( ۳
متفاو ت . خطوط پرر نگ با استفاده از مدل عددي و نرم VG را براي مقادير VDS . I D 1 ): نمودار – شكل ( ۴
و منحني هايي كه با علامت * رسم شده اند مدل ساده شده و بكار رفته در شبيه ساز MATLAB افزار
را نشان مي دهد . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۱ HSPICE
QS
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
۰ ولت در نظر گرفته شده / ۰ و ۴ / برابر ۵ VDS مقدار .CNFET ترانزيستور I D . VGS 2 ): منحني – شكل ( ۴
۱ نانومتر مي باشد.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۲ / است . كايراليتي نانوتيوب ( ۱۴ و ۰) و قطر آن در حدود ۱
براي سه نوع نانوتيوب با قطر متفاوت. . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۳ I D . VGS 3 ): منحني – شكل ( ۴
. . . ( ۴ ): اختلاف ميزان جريان دهي سه ترانزيستور با ن ا نوتيوبهاي متفاوت ( ۱۹ و ۰) و ( ۱۶ و ۰) و ( ۱۴ و ۰ – شكل ( ۴
۷۴٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
براي دو CNFET 5 ) : منحني ميزان تغي ي رات رسانايي (الف) و هدايت انتقال ي (ب) در ترانزيستور – شكل ( ۴
كايراليتي متفاوت . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۵
۷۶٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CNFET 6 ) : تركيب معكوس كننده با بار مقاومتي و ترانزيستور – شكل ( ۴
۶ ) براي بار هاي متفاوت. .. . . . . . . . . . . . ۷۶ – ۷ ): مشخصه ولتاژ خروجي معكوس كننده شكل ( ۴ – شكل ( ۴
۸ ): مقاومت نانوتيوب كربني فلزي تك پوسته براي س ه طول متفاوت بر حسب ولتاژ باياس دو سر – شكل ( ۴
آن. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . ۷۷
۹ ): مشخصه ولتاژ خروجي معكوس كننده ب ا استفاده از نانوتيوب فلزي تك ديواره به عنوان با ر . . . – شكل ( ۴
۷۸ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
۱۰ ): ساختار معكوس كننده با منطق مكمل و مشخصه خروجي اين تركيب براي ترانزيستور با يك – شكل ( ۴
۷۹ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ( نانوتيوب ( ۱۴ و ۰
QT
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
ب) استفاده شده براي شبيه سازي . در هر ) NOR الف )و ) NAND 11 ): ساختار دو گيت – شكل ( ۴
ترانزيستور از ۴ نانوتيوب موازي زير يك گيت استفاده شده است . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۰
QU
چكيده :
خصوصيات ويژه نانوتيوبهاي كربني در حوزه الكترونيك باعث گسترش كاربرد آنها در زمينه هاي متفاوت شده
خواهيم پرداخ ت . در FET است. در اين پروژه به بررسي كاربرد نانوتيوبهاي كربني در ساخت ترانزيستورهاي
ابتدا ساختارهاي متفاوت نانوتيوبها ، نحوه تشكيل و خصوصيات هر يك از آنها مورد مطالعه قرار گرفته است.
۱ و مدلسازي آنه ا (CNFET) ساخته شده با استفاده از نانوتيوبهاي كربني FET ما بر روي ترانزيستورهاي
متمركز خواهيم شد . اين ترانزيستورها بدليل امكان ساخت در محدوده ابعادي نانو ، جريان دهي بالستيك ( يا
شبه بالستيك ) دارند . بنابراين جهت مدلسازي از تئوري ترانزيستورهاي با لستيك استفاده شده اس ت . در اين
پروژه هدف از مدلسازي اين نوع ترانزيستور ها كاربرد آن در شبيه سازي مدارهاي ديجيتال بوده و با توجه به
كاربرد در نظر گرفته شده ، ساده سازيها يي انجام شده تا در نهايت مدل ساده اي ارائه گ ر دد كه توانايي به
را داشته باش د . مدل ارائه شده با استفاده از اين نرم (HSPICE) كارگيري توسط نرم افزار شبيه سازي مدار ي
افزار (بصورت يك زي ر – مدار ) و به منظور شبيه سازي مدارهاي ديجيتال و گيتهاي منطقي بكار گرفته شده
است.
Carbon Nanotube Field-Effect Transistor@H@1
QV
مقدمه :
با رسيدن تكنولوژي سيليكوني به مرزهاي محدوديت ساخت از جمله مشكلات جريان نشتي و تغييرات شديد
پارامترهاي ترا نزيستورهاي مشابه در ابعاد نانومتري و نياز به جايگزيني مواد جدي د ، چند ساختار جديد براي
مورد بررسي قرار گرفته اس ت .تحقيقات اخير در نانوالكترو نيك FET يافتن بهترين جايگزين ترانزيستورهاي
كنوني را MOSFET پتانسيل بالاي ترانزيستورهاي نانوتي و ب كربني جهت جايگزيني بجاي ترانزيستورهاي
نشان داده اند.
نانوتيوبهاي كربني ساختارهايي استوانه اي از اتمهاي كربن هستند كه از پيچش صفحات گرافين ت ش كيل
مي شوند. قطر نانومتري، استحكام مكانيكي و ضريب هدايت گرم ا يي بالا و پيوندهاي كوولانسي اشباع شده، اين
تيوبها را به ساختارهاي بسيار مورد توجه در صنايع گوناگون تبديل كرده اس ت . از جمله در صنعت الكترونيك و
ساخت ترانزيستور ، چنين به نظر مي رسد كه اين نانوتيوبها بتوانند بسياري از مشكلات پيش روي اين صنعت
در سالهاي آينده را رفع كنند.
به روشهاي گوناگون و مشخصه هاي متفاوت ساخته شده ان د . بسياري از اين CNFET ترانزيستورهاي
ترانزيستورها تنها از يك نانوتيوب كربني نيمه هادي به عنوان كانال بهره مي برن د . در سالهاي اخير و با توسعه
تكنولوژي نانو و ابزارهاي آن استفاده از چند نانوتيوب در زير يك گيت نيز م قدور گرديده اس ت . ترانزيستورهاي
ساخته شده مشخصه هاي قابل توجهي از خود نشان داده اند و روز به رو ز بر امكان و احتمال جايگزيني
تكنولوژي سيليكوني با تكنولوژي آميخته با نانو افزوده مي شود.
سرعت بالا و سطح اش غ ال شده بسيار كم آن مي باش د . اين مزايا در CNFET از جمله برتري هاي ترانزيستور
آينده موجب ساخت حافظه ها و مدارهاي ديجيتال با سرعت بالا و ابعاد كوچك خواهند ش د . ام.ا در اينجا نيز
QW
لازم است تا همانند تكنولوژي كنوني جهت پيش بيني عملكرد ترانزيستورها مدلي ارائه گردد كه بتواند با توجه
به شرايط فيزيكي قطعه توصيف صحيحي از رفتار آن در مدار هاي مختلف داشته باش د . سادگي، سرعت و
قابليت بكارگيري مدل توسط شبيه سازهاي مداري از جمله موارد مهمي هستند كه بايد در مدلسازي قطعه مد
نظر قرار گيرند


راهنمای خرید فایل از سایت :
برای خرید فایل روی دکمه سبز رنگ (خرید و دانلود) کلیک کنید سپس در فیلدهای خالی آدرس ایمیل و سایر اطلاعات خودتون رو بنویسید سپس دکمه ادامه خرید رو کلیک کنید . در این مرحله به صورت آنلاین به بانک متصل خواهید شد و پس از وارد کردن اطلاعات بانک از قبیل شماره کارت و پسورد خرید فایل را انجام خواهد شد . تمام این مراحل به صورت کاملا امن انجام میشود در صورت بروز مشکل با شماره موبایل ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید و یا به ایمیل info.sitetafrihi@gmail.com پیام بفرستید .

  • بازدید : 113 views
  • بدون نظر
دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال,پایان نامه کارشناسی ارشد برق,پروژه کارشناسی ارشد رشته برق,دانلود رایگان پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود رایگان پایان نامه word رشته برق,دانلود پایان نامه و پروژه pdf و word کارشناسی ارشد برق,خرید و فروش و انجام پایان نامه و پروژه کارشناسی ارشد برق,دانلود پروژه پایان نامه مهندسی ارشد رشته برق گرایش الکترونیک,پروژه و پایان نامه ارشد برق گرایش مخابرات,دانلود تحقیق و مقاله کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات ,دانلود پایان نامه درباره نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال,دانلود پروپوزال کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق گرایش الکترونیک,دانلود پروژه و پایان نامه آماده دانشجویی رشته برق الکترونیک


با سلام گرم خدمت تمام دانشجویان عزیز و گرامی . در این پست دانلود پروژه پایان نامه کارشناسی ارشد برق الکترونیک نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال رو برای عزیزان دانشجوی رشته برق گرایش الکترونیک قرار دادیم . این پروژه پایان نامه در قالب ۹۶ صفحه به زبان فارسی میباشد . فرمت پایان نامه به صورت پی دی اف PDF هست و قیمت پایان نامه نیز با تخفیف ۵۰ درصدی فقط ۱۴ هزار تومان میباشد …

از این پروژه و پایان نامه آماده میتوانید در نگارش متن پایان نامه خودتون استفاده کرده و یک پایان نامه خوب رو تحویل استاد دهید .

توجه : برای خرید این پروژه و پایان نامه با فرمت تمام متنی word و قابل ویرایش با شماره ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید .

دانشگاه آزاد اسلامی
واحد تهران جنوب
دانشکده تحصیلات تکمیلی
پایان نامه جهت دریافت درجه کارشناسی ارشد
رشته برق – گرایش الکترونیک
عنوان پایان نامه: نانوترانزيستور و كاربرد آن در مدارهاي ديجيتال

به همراه فایل شبیه سازی شده برای نرم افزار MATLAB

عنوان مطلب شماره صفحه
چكيده . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۱۵
مقدمه . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . ۱۶
فصل اول : كليات . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۱۸
۱ ) هدف . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۱۹ – ۱
۲ ) پيشينه تحقيق . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۰ – ۱
۳ ) روش كار و تحقيق . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۲ – ۱
۲۳ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CNFET فصل دوم : نانوتيوبهاي كربني و
۱ ) مقدمه . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۴ – ۲
۲ ) ساختار نانو تيوب هاي كربني . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۴ – ۲
۳ ) خواص الكترونيكي نانوتيوب هاي كربني . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۶ – ۲
۴ ) روشهاي رشد نانو تيوب هاي كربني . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۱ – ۲
۱ ) تخليه قوس الكتريكي . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۱ – ۴ – ۲
۲ ) تبخير با تابش ليزري . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۲ – ۴ – ۲
۳۲ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . (CVD) 3 ) رسوب بخار شيميايي – ۴ -۲
۳۳ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ( CNFET ) 5 ) ترانزيستورهاي اثر ميداني با نانوتيوب هاي كربني – ۲
V
فهرست مطالب
عنوان مطلب شماره صفحه
با سد شاتكي. . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۵ CNFET 1 ) ساختار ترانزيستورهاي – ۵ – ۲
۳۹ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .MOSFET با ساختار مشابه CNFET 2 ) ترانزيستورهاي – ۵ – ۲
۶ ) عرض ترانزيستور نانوتيوب كربني. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۰ – ۲
۴۲٫ . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . p و n 7 ) ترانزيستورهاي كانال – ۲
۴۳٫ . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. MOSFET با CNFET 8 ) مقايسه ترانزيستور – ۲
۴۴٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ROM در حافظه هاي CNFET 9 ) قابليتهاي ترانزيستور – ۲
۴۵ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . CNFET فصل سوم :مدلسازي
۱ ) مقدمه . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۶ – ۳
۴۷٫ . .. . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CNFET 2 ) ترانزيستورهاي – ۳
بالستيك . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۸ CNFET 3 ) تئوري ترانزيستورهاي – ۳
بالستيك . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۰ CNFET 4 ) مدل عددي ترانزيستور – ۳
بالستيك سازگار با نرم افزارهاي شبيه ساز . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۵ CNFET 5 ) مدل – ۳
۱ )محاسبه بار نانوتيوب. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۵ – ۵ – ۳
۵۸ . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..VGS با استفاده از ولتاژ . S 2 ) تخمين – ۵ – ۳
۳ ) محاسبه خازن كوانتمي گيت . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۰ – ۵ – ۳
W
فهرست مطالب
عنوان مطلب شماره صفحه
۴ ) محاسبه خازنهاي پارازيتي لبه. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . ۶۱ – ۵ – ۳
۶۶٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .HSPICE 6 ) مدل مداري سازگار با – ۳
۷ ) جمع بندي . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۷ – ۳
فصل چهارم : نتايج شبيه سازي. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۹
۱ ) مقدمه . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . ۷۰ – ۴
۷۱٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .@CNFET 2 ) بكار گيري مدل ترانزيستور – ۴
۳ ) تاثير تغييرات قطر بر خواص ترانزيستور . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۳ – ۴
۷۵ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..CNFET 4 ) مدار معكوس كننده با استفاده از ترانزيستور – ۴
با منطق مكمل . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۹ CNFET 5 ) معكوس كننده – ۴
۸۰ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CNFET 6 ) گيت هاي منطقي با استفاده از ترانزيستور – ۴
فصل پنجم : نتيجه گيري و پيشنهادات . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۳
نتيجه گيري . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۴
پيشنهادات . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . ۸۶
منابع و ماخذ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۸
فهرست منابع فارسي. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۹
X
فهرست مطالب
عنوان مطلب شماره صفحه
فهرست منابع لاتين . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . ۸۹
سايت هاي اطلاع رساني. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۹۴
چكيده انگليسي. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۹۵
Y
فهرست جدول ها
عنوان شماره صفحه
ها و ضرايب دي الكتريك آنه ا . مقادير * دار CNFET 1 ) : انواع اكسيد هاي قابل استفاده در – جدول ( ۲
تخميني مي باشند. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۵
۱ ) نتايج بدست آمده از شبيه سازي گيتهاي منطقي با استفاده از مدل ارائه شده . . . . . . . . . . . ۸۱ – جدول ( ۴
QP
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
ج ) zigzag ب) ساختار armchair 1 ): سه س ا ختار معروف نانو تيوبهاي كربني الف )ساختار – شكل ( ۲
۲۵٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .chiral ساختار
مساوي ۵ . شكاف انرژي صفر n و m 2 ): نوارهاي انرژي فرعي رسم شده براي ساختار آرمچير با – شكل( ۲
است . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۷
مي باشد. m 3 ): نمودار شكاف انرژي و قطر نانوتيوب براي ساختار زيگزاگ . محور افقي مبين اندازه – شكل( ۲
۲۸٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
مساوي ۱۴ (الف ) و ۵ (ب). اندازه m 4 ) : نوارهاي انرژي فرعي رسم شده براي ساختار زيگزاگ با – شكل( ۲
شكاف انرژي و تعداد نوارهاي انرژي فرعي در دو حالت قابل مقايسه است. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۲۸
۵ ): ساختار شماتيك يك ترانزيستور با گيت روين و سه نانوتيوب موازي. . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۴ – شكل ( ۲
۳۶ . . . . . . . off و on با سد شاتكي در دو حالت CNFET 6 ): دياگرام نوار انرژي براي ترانزيستور – شكل ( ۲
مختلف . . . . . . . . . . . ۳۸ Vds ترانزيستور براي سه قطر متفاوت و ولتاژ هاي V gs . Id 7 ): منحني – شكل( ۲
۸ ) : حالت جريان مينيمم ، تاثير كاهش قطر (اضافه شدن نوارهاي بالا و پايين ) و در نتيجه سد – شكل( ۲
پيش روي حامل ها . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۳۹
۳۹٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MOSFET مشابه CNFET 9 ): شماتيك ساختار ترانزيستور – شكل ( ۲
۱۰ ) : نحوه تاثير ولتاژ گيت بر ارتفاع سد و اشغال شدن زير نوارها توسط حاملهاي تحت تاثير سطح – شكل ( ۲
فرمي درين و سورس. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۰
QQ
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
۱۱ ): ميزان تاثير فاصله گذاري نانوتيوب ها در اندازه جريان و ظرفيت خازني گيت به نانوتيوب.. . ۴۱ – شكل ( ۲
باسد شاتكي نشان داده شده CNFET 1 ): ساختار كلي (الف) و شكل نوار انرژ ي (ب) در ترانزيستور – شكل ( ۳
است. جريان تر انزيستور حاصل از تونل زني حاملها در سد شاتكي بين كانال نانوتيوب كربني و فلز كنتاكت
سورس است. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۷
الف) و نوار انرژي آن (ب). ولتاژ گيت باعث ) MOSFET مشابه CNFET 2 ): ساختار ترانزيستور – شكل ( ۳
مدولاسيون ارتفاع سد در نزديكي سورس و عبور حاملها مي شود و به اين ترتيب جريان ترانزيستور را كنترل
مي كند. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۴۸
بالستيك .(الف) نحوه تاثير ولتاژ گيت بر ارتفاع CNFET 3 ): مدل ساده اي براي ترانزيستورهاي – شكل ( ۳
سد (ب) نوار انرژي در بالاترين نقطة سد در نزديكي سورس (نقطه شروع كانال ). (ج) مدار معادل خازن ورودي
ترانزيستور. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۰
انتگرال با استفاده از روش هاي عددي حل شده . .P براي مقادير م ت فاوت F 4 ): شكل تابع – شكل ( ۳
است. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۶
منفي(الف) ومثبت(ب). . . . . ۵۸ . S / D 5 ): اختلاف بين حل عددي انتگرال و مدل ساده شده براي – شكل ( ۳
m 1/1 و nm براي نانوتيوبي با قط ر . S ,VGS 6 ): اختلاف بين – شكل ( ۳
pF
= ۶۰ ins و C
را نشان مي دهد. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۵۹ VDS متفاوت جهت پيكان افزايش اندازه VDS مقادير
QR
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
۷ ) : نحوه تشكيل خازن هاي لبه و پارامترهاي مربوط به آن . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۱ – شكل ( ۳
ضخامت . Lsd 8 ): تغييرات ظرفيت خازني لبه در نانوتيوبهاي مياني و انتهايي براي مقادير مختلف – شكل ( ۳
اكسيد برابر ۲ نانومتر ، تعداد نانوتيوبها ۴ و فاصله آنها ۱۰ نانومتر، ضريب دي الكتريك اكسيد ۱۶ و قطر نانوتيوب
۱/۱ نانومتر فرض شده است . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۴
۹ ): تاثير تعداد نانوتيوبها روي ظرفيت خازني لبه. همانطور كه ديده مي شود با ثابت ماندن فاصله – شكل ( ۳
بين نانوتيوبها هر چه تعداد بالاتر مي رود تاثير نانوتيوبها بر هم افزايش يافته ظرفيت خازني كم مي شود . . . ۶۵
۱۰ ): تاثير فاصله گذاري هاي مختلف نانوتيوبها روي ظرفيت خازني لبه . همانطور كه ديده مي شو د – شكل ( ۳
با ثابت ماندن فاصله بين نانوتيوبها هر چه تعداد بالاتر مي رو د ، تاثير نانوتيوبها بر هم افزايش يافته ظرفيت
خازني كم مي شود. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۵
۱۱ ): تاثير افزايش ضخامت اكسيد بر روي نانوتيوبهاي مياني و انتهايي در آرايه ۴ تايي نانوتيوبها و – شكل ( ۳
نانومتر. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۶ Lsd = اندازه ۴۵
در كاربرد ديجيتال . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۶۶ CNFET 12 ): مدار معادل كامل ترانزيستور – شكل ( ۳
متفاو ت . خطوط پرر نگ با استفاده از مدل عددي و نرم VG را براي مقادير VDS . I D 1 ): نمودار – شكل ( ۴
و منحني هايي كه با علامت * رسم شده اند مدل ساده شده و بكار رفته در شبيه ساز MATLAB افزار
را نشان مي دهد . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۱ HSPICE
QS
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
۰ ولت در نظر گرفته شده / ۰ و ۴ / برابر ۵ VDS مقدار .CNFET ترانزيستور I D . VGS 2 ): منحني – شكل ( ۴
۱ نانومتر مي باشد.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۲ / است . كايراليتي نانوتيوب ( ۱۴ و ۰) و قطر آن در حدود ۱
براي سه نوع نانوتيوب با قطر متفاوت. . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۳ I D . VGS 3 ): منحني – شكل ( ۴
. . . ( ۴ ): اختلاف ميزان جريان دهي سه ترانزيستور با ن ا نوتيوبهاي متفاوت ( ۱۹ و ۰) و ( ۱۶ و ۰) و ( ۱۴ و ۰ – شكل ( ۴
۷۴٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
براي دو CNFET 5 ) : منحني ميزان تغي ي رات رسانايي (الف) و هدايت انتقال ي (ب) در ترانزيستور – شكل ( ۴
كايراليتي متفاوت . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۷۵
۷۶٫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .CNFET 6 ) : تركيب معكوس كننده با بار مقاومتي و ترانزيستور – شكل ( ۴
۶ ) براي بار هاي متفاوت. .. . . . . . . . . . . . ۷۶ – ۷ ): مشخصه ولتاژ خروجي معكوس كننده شكل ( ۴ – شكل ( ۴
۸ ): مقاومت نانوتيوب كربني فلزي تك پوسته براي س ه طول متفاوت بر حسب ولتاژ باياس دو سر – شكل ( ۴
آن. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . ۷۷
۹ ): مشخصه ولتاژ خروجي معكوس كننده ب ا استفاده از نانوتيوب فلزي تك ديواره به عنوان با ر . . . – شكل ( ۴
۷۸ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
۱۰ ): ساختار معكوس كننده با منطق مكمل و مشخصه خروجي اين تركيب براي ترانزيستور با يك – شكل ( ۴
۷۹ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ( نانوتيوب ( ۱۴ و ۰
QT
فهرست شكل ها
عنوان شماره صفحه
ب) استفاده شده براي شبيه سازي . در هر ) NOR الف )و ) NAND 11 ): ساختار دو گيت – شكل ( ۴
ترانزيستور از ۴ نانوتيوب موازي زير يك گيت استفاده شده است . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ۸۰
QU
چكيده :
خصوصيات ويژه نانوتيوبهاي كربني در حوزه الكترونيك باعث گسترش كاربرد آنها در زمينه هاي متفاوت شده
خواهيم پرداخ ت . در FET است. در اين پروژه به بررسي كاربرد نانوتيوبهاي كربني در ساخت ترانزيستورهاي
ابتدا ساختارهاي متفاوت نانوتيوبها ، نحوه تشكيل و خصوصيات هر يك از آنها مورد مطالعه قرار گرفته است.
۱ و مدلسازي آنه ا (CNFET) ساخته شده با استفاده از نانوتيوبهاي كربني FET ما بر روي ترانزيستورهاي
متمركز خواهيم شد . اين ترانزيستورها بدليل امكان ساخت در محدوده ابعادي نانو ، جريان دهي بالستيك ( يا
شبه بالستيك ) دارند . بنابراين جهت مدلسازي از تئوري ترانزيستورهاي با لستيك استفاده شده اس ت . در اين
پروژه هدف از مدلسازي اين نوع ترانزيستور ها كاربرد آن در شبيه سازي مدارهاي ديجيتال بوده و با توجه به
كاربرد در نظر گرفته شده ، ساده سازيها يي انجام شده تا در نهايت مدل ساده اي ارائه گ ر دد كه توانايي به
را داشته باش د . مدل ارائه شده با استفاده از اين نرم (HSPICE) كارگيري توسط نرم افزار شبيه سازي مدار ي
افزار (بصورت يك زي ر – مدار ) و به منظور شبيه سازي مدارهاي ديجيتال و گيتهاي منطقي بكار گرفته شده
است.
Carbon Nanotube Field-Effect Transistor@H@1
QV
مقدمه :
با رسيدن تكنولوژي سيليكوني به مرزهاي محدوديت ساخت از جمله مشكلات جريان نشتي و تغييرات شديد
پارامترهاي ترا نزيستورهاي مشابه در ابعاد نانومتري و نياز به جايگزيني مواد جدي د ، چند ساختار جديد براي
مورد بررسي قرار گرفته اس ت .تحقيقات اخير در نانوالكترو نيك FET يافتن بهترين جايگزين ترانزيستورهاي
كنوني را MOSFET پتانسيل بالاي ترانزيستورهاي نانوتي و ب كربني جهت جايگزيني بجاي ترانزيستورهاي
نشان داده اند.
نانوتيوبهاي كربني ساختارهايي استوانه اي از اتمهاي كربن هستند كه از پيچش صفحات گرافين ت ش كيل
مي شوند. قطر نانومتري، استحكام مكانيكي و ضريب هدايت گرم ا يي بالا و پيوندهاي كوولانسي اشباع شده، اين
تيوبها را به ساختارهاي بسيار مورد توجه در صنايع گوناگون تبديل كرده اس ت . از جمله در صنعت الكترونيك و
ساخت ترانزيستور ، چنين به نظر مي رسد كه اين نانوتيوبها بتوانند بسياري از مشكلات پيش روي اين صنعت
در سالهاي آينده را رفع كنند.
به روشهاي گوناگون و مشخصه هاي متفاوت ساخته شده ان د . بسياري از اين CNFET ترانزيستورهاي
ترانزيستورها تنها از يك نانوتيوب كربني نيمه هادي به عنوان كانال بهره مي برن د . در سالهاي اخير و با توسعه
تكنولوژي نانو و ابزارهاي آن استفاده از چند نانوتيوب در زير يك گيت نيز م قدور گرديده اس ت . ترانزيستورهاي
ساخته شده مشخصه هاي قابل توجهي از خود نشان داده اند و روز به رو ز بر امكان و احتمال جايگزيني
تكنولوژي سيليكوني با تكنولوژي آميخته با نانو افزوده مي شود.
سرعت بالا و سطح اش غ ال شده بسيار كم آن مي باش د . اين مزايا در CNFET از جمله برتري هاي ترانزيستور
آينده موجب ساخت حافظه ها و مدارهاي ديجيتال با سرعت بالا و ابعاد كوچك خواهند ش د . ام.ا در اينجا نيز
QW
لازم است تا همانند تكنولوژي كنوني جهت پيش بيني عملكرد ترانزيستورها مدلي ارائه گردد كه بتواند با توجه
به شرايط فيزيكي قطعه توصيف صحيحي از رفتار آن در مدار هاي مختلف داشته باش د . سادگي، سرعت و
قابليت بكارگيري مدل توسط شبيه سازهاي مداري از جمله موارد مهمي هستند كه بايد در مدلسازي قطعه مد
نظر قرار گيرند


راهنمای خرید فایل از سایت :
برای خرید فایل روی دکمه سبز رنگ (خرید و دانلود) کلیک کنید سپس در فیلدهای خالی آدرس ایمیل و سایر اطلاعات خودتون رو بنویسید سپس دکمه ادامه خرید رو کلیک کنید . در این مرحله به صورت آنلاین به بانک متصل خواهید شد و پس از وارد کردن اطلاعات بانک از قبیل شماره کارت و پسورد خرید فایل را انجام خواهد شد . تمام این مراحل به صورت کاملا امن انجام میشود در صورت بروز مشکل با شماره موبایل ۰۹۳۳۹۶۴۱۷۰۲ تماس بگیرید و یا به ایمیل info.sitetafrihi@gmail.com پیام بفرستید .


عتیقه زیرخاکی گنج