• بازدید : 57 views
  • بدون نظر
این فایل در ۱۲صفحه قابل ویرایش تهیه شده وشامل موارد زیر است:

روشهاي مختلفي براي ضبط اطلاعات صوتي وجود دارند كه مهمترين آنها عبارتند از (ضبط مكانيكي اطلاعات صوتي) و (ضبط ديجيتالي صدا بروش الكترونيكي)
روش اول قديمي بوده و در اين شيوه از ضبط صدا بصورت مغناطيسي روي نوار و يا بصورت شيارهاي مكانيكي روي صفحه و يا بصورت علايم نواري روي سلونوئيد فيلم بهره مي‌جويند.
اما روش دوم، يعني ضبط الكترونيكي صدا، جديد بوده و چيزي نمانده تا مراحل تكامل خود را پشت سر بگذارد و امروزه بسيار متداول شده و مي‌رود تا روشهاي مكانيكي قديمي را از رده خارج كند.
همانطور كه اطلاع داريد، هر سيگنال صوتي داراي چند مولفه اصلي از جمله: ارتفاع، فركانس و شدت مي‌باشد كه براي حفظ اصالت صداي اصلي تمام اين مولفه‌ها در هنگام ضبط صدا بايد رعايت شوند.
اساس ضبط تمام سيگنالهاي صوتي تبديل آنها به اطلاعات ديجيتالي، سپس نگاهداري آنها در واحدهاي حافظه مي‌باشد.
«ديجيت يا ديجيتال» در زبان انگليسي به معناي عدد، رقم و شمره مي‌باشد، پس چنين مي‌توان دريافت كه در اين روش اطلاعات مورد استفاده در تمام موارد ـ ‌اعم از صوت يا تصوير ـ نه بر اساس ولتاژ و جريان بلكه بر اساس كدهاي عددي مانند صفر و يك (۰ـ ۱) تعريف مي‌شوند.
واحدهاي حافظه ديجيتال مي‌توانند حافظه‌هاي غير فرار مانند ديسكهاي نوري يا مدار مجتمع EPROM يا حافظه‌هاي قابل ضبط مانند: ديسكهاي مغناطيسي، نوارهاي ضبط مغناطيسي و يا مدارات مجتمع استاتيك (پايدار) موسوم به STATIC RAM و يا حافظه‌هاي ديناميك (پويا) موسوم به DYNAMIC RAM باشند كه مدار مورد نظر ما از اين نوع بوده و اختصاص DRAM ناميده مي‌شود.
در اين قسمت (صفاپور) توضيحات بسيار مفصلي در رابطه با مطالبي مانند:‌ الكترونيك ديجيتال، آنالوگ، مبدل آنها به همديگر، بيت و بايت، حافظه‌هاي استاتيك و ديناميك و غيره ارائه داده‌اند كه توضيح آنها متناسب با اين كتاب تشخيص داده نشد و حذف شدند. (مولف).
مشخصات مدار ارائه شده ضبط و پخش ديجيتالي
توسط آي سي مدار مجتمع HT8658 توسط شركت سازنده آن:
ـ تغذيه نامتقارن ۵/۴ تا ۵/۵ ولت حداكثر.
ـ ‌الگوريتم‌بندي ADM
ـ مدار رابط داخلي براي ۴ مدار مجتمع ديناميك ۲۵۶ كيلوبايت يا ۳ مدار مجتمع حافظه ديناميك يك مگا بيت
ـ‌ دو مرحله تقويت آمپلي فاير داخلي مخصوص تقويت ميكروفون.
ـ ‌فيلتر داخلي پايين‌گذر براي حذف فركانسهاي فراهم.
ـ سرعت نمونه‌برداري از سيگنال صوتي قابل تنظيم از ۱۱ كيلو بيت در ثانيه تا ۳۲ كيلو بيت در ثانيه
ـ LED نمايشگر عملكرد وضعيت مدار مجتمع
ـ قابليت پخش اتوماتيك صدا 
كاربرد مدار
جعبه‌هاي پيغام‌گير ـ ‌ضبط صوتهاي غير مكانيكي ـ‌ اسباب‌بازيهاي سخنگو ـ ‌ساعت سخنگو و اذان‌گو ـ ‌جواب دهنده و سكرتر تلفني ـ دزدگير و پيغام دهنده به پليس و تلفنهاي مورد لزوم ـ عروسك سخنگو و ده‌ها مورد مصرف ابتكاري و غيرقابل پيش‌بيني كه هر كدام مي‌تواند در نوع خود با تغييراتي يك پروژه دانشجوئي يا پروژه براي جشنواره‌هاي علمي مانند «جشنواره خوارزمي»‌ مورد استفاده قرار گيرد.
تشريح عمومي مدار
مدار مجتمع HT 8658 يك مدار مجتمع از نوع CMOS بوده داراي مقياس مجتمع‌سازي LST مي‌باشد يعني شامل چند هزار گيت داخلي بوده و براي كاربردهاي ضبط صدا ساخته شده است.
صرف نظر از قسمت (رست) ‌آن، بقيه قسمتهاي آن با مدار مجتمع HT 8658 يكسان است.
بدين معني كه زمان لازم رست شدن ۵۹ حداقل ۲ ثانيه است در حاليكه براي آي سي ۵۸ حداقل ۴ ثانيه مي‌باشد ساختمان داخلي اين مدار مجتمع تشكيل شده از مدار رابط براي ارتباط با حافظه‌هاي ديناميك، آمپلي فاير، واحدهاي مبدل ديجيتال به آنالوگ و بر عكس و يك فيلتر پايين گذر داخلي.
عمل نمونه‌برداري سيگنال صوتي با ۴ سرعت مختلف (۱۱ كيلو بيت ـ ‌۱۶ كيلو بيت ـ ۲۲ كيلو بيت ـ ‌۳۲ كيلو بيت) ‌در ثانيه امكانپذير است كه اين مسئله زمان ضبط و پخش را از ۸ ثانيه تا ۷۰ ثانيه تغيير مي‌دهد.
اما بايد بدانيد كه هر قدر زمان نمونه برداري كمتر شود، به همان مقدار از كيفيت صدا كاسته مي‌شود.
اين اي سي در دو شكل مكعبي مسطح و مستطيل ۲۸ پايه بسته‌بندي شده استاندارد ارائه مي‌گردد.
تنها دو نمونه از اين اي سي موجود است. نوع A كه در آن خروجي صدا بصورت فركانس ارائه مي‌گردد.
نوع B كه خروجي آن بصورت ولتاژ است كه هر دو آنها را بايد به يك آمپلي فاير خارجي وصل نمود.
ترتيب پايه‌هاي دو نوع A، B در صفحه يك كاتالوگ اين آي سي آمده است.
شرح كاربردي مدار مجتمع
براي تنظيم حالات مختلف عملكرد مدار مجتمع HT8658 برنامه‌ريزي حالات از طريق ورودي‌هاي ASO تا AS6 صورت مي‌گيرد.
بعد از وصل مدار به تغذيه بايد كليد رست براي حداقل ۴ ثانيه بصورت ممتد فشار داده شود.
در اين صورت مدار مجتمع حالات تنظيم شده توسط سوئيچهاي مربوطه ASO تا AS6 را براي تعيين حالت گاز خود منتقل مي‌كند.
پايه‌هاي ASO تا ASO در حالت عادي توسط مقاومت بالا كشنده از داخل به مثبت تغذيه وصل هستند.
بنابراين در حالت عادي تمام ورودي‌ها در وضعيت (۱)‌ ديجيتالي قرار دارند و تنها در صورتي به (O)‌ ديجيتالي تبديل مي‌شوند كه توسط يك مقاومت به شاسي وصل شوند.
دقت كنيد!
۰ = كد صفر با اتصال شاسي به ورودي مورد نظر مي‌تواند ايجاد گردد.
۱ = كد يك بدون اتصال شاشي به ورودي مورد نظر مي‌توان ايجاد گردد.
X = حالت بي‌تفاوت. اين حالت در جدول يعني هر نوع حالات كليدها در عمل تاثير ندارند.
در هنگام تنظيم هر پارامتر، تنها ورودي مربوط را مورد توجه قرار داده، بقيه وروديها را بي‌اثر فرض نمائيد.
بعنوان مثال براي انتخاب سرعت دلخواه فقط دو ورودي AS1, ASO را در نظر بگيريد و براي انتخاب تعداد حافظه‌ها تنها دو ورودي AS3, AS2 را در نظر بگيريد.
فلوچات وضعيت نرمال (AS6=1-AS4=1)
در آغاز LED خاموش است. اگر كليد REC فشار داده شود، عمليات ضبط آغاز شده LED روشن خواهد شد. بعد از پر شدن حافظه عمل ضبط خودبخود متوقف و LED خاموش مي‌شود.
اگر حافظه پر نشده باشد و كليد REC دوباره فشار داده شود، ضبط همانجا خاتمه مي‌يابد و محتويات شمارنده مقدار حافظه M است. يعني M آدرس حافظه ضبط شده است و بقيه هنوز خالي است كه در هنگام ضبط هرگاه دوباره كليد REC فشار داده نشود، عمل ضبط تا پر شدن كامل حافظه ادامه خواهد داشت.
اگر كليد REC فشار داده نشود و همينطور كليد PLAY (پخش) هم فشار داده نشود، LED خاموش مانده اتفاقي نميافتد.
اگر كليد PLAY فشار داده شود و قبلاً هيچ ضبطي صورت نگرفته باشد، مدار باز متوقف مانده به اول باز مي‌گردد.
ولي اگر محتويات كانتر ضبط مساوي صفر نباشد، عمل پخش صدا آغاز مي‌شود. سپس بار ديگر محتويات در شمارنده پخش و ضبط مقايسه مي‌شوند.
اگر هر دو برابر باشد، تمامي صداي ضبط شده، پخش و عمل متوقف مي‌شود. در غير اينصورت، همچنان كه پخش ادامه دارد اگر اين كليد مجدداً فشار داده شود (PLAY)، عمليات پخش متوقف مي‌شود و محتويات كانتر برابر با n خواهد بود.
يعني مقدار N آدرس از حافظه پخش شده است و اگر كليد دوباره فشار داده شود، باقيمانده حافظه نيز تا زمانيكه N=M گردد، پخش خواهد شد. يعني تمام حافظه ضبط شده يك بار بصورت كامل پخش مي‌شود.
فلوچات وضعيت پخش خودكار( AS4=0-AS6=1)
در اين مرحله كليه مراحل همانند مرحله معمولي است با اين تفاوت كه پس از ضبط تمام حافظه و يا پس از اينكه سوييچ فشاري REC بعنوان مكث (PAUSE)‌ دوباره فشار داده شود، مدار مجتمع بصورت اتوماتيك اقدام به پخش خودكار خواهد كرد.
انتخاب سرعت ضبط و پخش
الف ـ سرعت ۳۲ كيلو بيت در ثانيه (حداكثر سرعت ـ حداكثر كيفيت ـ حداقل زمان)
براي اين حالت فقط R14, R12 در محل خود مونتاژ مي‌شوند. حداكثر زمان ۸ ثانيه با بهترين كيفيت ضبط خواهد بود.
ب ـ ‌سرعت ۲۲ كيلو بيت در ثانيه (سرعت نسبتاً زياد ـ كيفيت متوسط خوب ـ حداكثر زمان ۶/۱۱ ثانيه) در اين حالت كافي است فقط مقاومت R14 مونتاژ شود و R12 حذف شود.
ج ـ سرعت ۱۱ كيلو بيت در ثانيه (سرعت متوسط ـ كيفيت پائين ـ حداكثر زمان ۱۳ ثانيه)
در اين حالت فقط R12 مونتاژ و R14 از مدار حذف خواهد شد.
دـ سرعت ۱۶ كيلو بيت در ثانيه (‌سرعت بسيار پايين ـ ‌كيفيت بد ـ حداكثر زمان ۱۶ ثانيه)
در اين حالت هيچكدام از مقاومتهاي R14, R12 مونتاژ نخواهند شد.
مدار مجتمع ۸۶۵۸ HTاز نظر سرعت نمونه‌برداري و حداكثر زمان ضبط برتري كاملي براي سي ۵۱۰۰ UM (جلد ۳) دارد. زيرا سرعت نمونه‌برداري صدا در ۵۱۰۰ حداكثر ۲۸ كيلو بيت در ثانيه و حداقل ۱۰ كيلو بيت در ثانيه است. در حاليكه ۵۱۰۰ حداكثر ۲۸ كيلو بيت در ثانيه و حداقل ۱۰ كيلو بيت در ثانيه است در حاليكه اين سرعت در ۸۶۵۸ HT حداكثر ۳۲ و حداقل ۱۲ كيلو بيت در ثانيه است.
آي سي ۵۱۰۰ همراه يك حافظه ۶۲۲۵۶ كه داراي حداكثر حافظه است، فقط مي‌تواند بين ۹ تا ۲۶ ثانيه صدا ضبط كند و مدار پيچيده‌تري هم دارد.
در حاليكه اين مدت براي ۸۶۵۸ HT بين ۹۴ تا ۲۷۲ ثانيه خواهد بود.
فركانس ضبط شده در ۵۱۰۰ حداكثر فركانس قابل ضبط HZ 1280 مي‌باشد در حاليكه در مدار مجتمع ۸۶۵۸ HT اين مقدار برابر HZ1408 تا HZ 4096 مي‌باشد كه كيفيت صداي ضبط شده را برتر مي‌سازد.
چنانكه قبلاً ديديم، مقدار سرعت نمونه برداري بطور مستقيم در فركانس صداي ضبط شده موثر است و در نتيجه هر قدر اين سرعت بيشتر باشد، صداي واقعي‌تري نسبت به صداي اصلي بدست خواهد آمد. اما در سرعت‌هاي پايين‌تر، هر چه زمان ضبط اطلاعات بيشتر باشد، اما صداي ضبط شده نيز دچار كاهش كيفيت خواهد شد
  • بازدید : 87 views
  • بدون نظر
دانلود رایگان تحقیق سنسورهای مغناطیس سنج-خرید اینترنتی تحقیق سنسورهای مغناطیس سنج-دانلود رایگان مقاله سنسورهای مغناطیس سنج-تحقیق سنسورهای مغناطیس سنج

این فایل در ۳۵صفحه قابل ویرایش تهیه شده وشامل موارد زیر است:

یک مغناطیس سنج ، ابزاری است با یک حسگر که شدت جریان مغناطیسی B را اندازه می گیرد (در واحدهای تسلا یا AS/m2 ) ، زمین یک میدان مغناطیسی ضعیف تولید می کند که شدت جریان (درهوا) در حد ۱۸ میکروتلسا در برخی بخشهای امریکای جنوبی تا حدود ۶۰ میکروتلسا در دایره قطبی و قطبین دارد. در ادامه برای آشنایی بیشتر شما توضیحات مفصلی می دهیم.

شامل مواردی چون آهن ربا می باشند که دارای میدانهای مغناطیسی خاص خود علاوه بر رسانش مغناطیسی بسیار بالا می باشند. موادی مثل این تغییراتی در جریان مغناطیسی زمین ایجاد می کنند که به سوی آنها در جریان می باشد. مغناطیس سنج ها می توانند این آشفتگی را بررسی کنند.

یک مغناطیس سنج، شدت جریان مغناطیسی را در یک نقطه از فضا اندازه می گیرد که حسگر واقع شده است. یک بهم ریختگی ایجاد شده توسط یک شی ء مغناطیسی (دوقطبی مغناطیسی) عمدتاً باعث افت شدت برحسب مربع مسافت موجود از آن شی ء میشود. بنابراین حداکثر فاصله ای که یک مغناطیس سنج خاص می تواند بررسی کند مستقیماً متناسب با ریشه مربع حساسیت مغناطیس سنج می باشد. حساسیت عمدتاً برحسب نانوتسلا [ ۱۰ T]  یا گاما (واحد غیر SI که بسیاری از زمین شناسان استفاده می کنند) یا پیکوتسلا [ ۱۰-۱۲ T] یا فمتوتلسا [ ۱۰-۱۵T] می باشد. در کل، مغناطیس سنج ها به دو گروه تقسیم می شوند که به لحاظ کارکرد و نحوه کارآیی با هم خیلی فرق دارند :

 مغناطیس سنج برداری که مقدار شدت جریان را در یک جهت خاص در فضای سه بعدی اندازه میگیرد (شدت جریان مغناطیسی، یک متوسط برداری است که دارای جهت علاوه بر بزرگی است.) یک مثال آن، مغناطیس سنج دروازه جریان۱ است که می تواند توان هر بخش از میدان زمین را با جهت دهی حسگر در جهت بخش مورد نظر اندازه گیرد.

شكل ( ۲) انواع ميدانهاي مغناطيسي را كه براي كاربردي حسگري مختلف به آنها برخورد مي كنيم، نشان مي دهد.. به طوري كه در شكل مي بينيد ميدان هاي مغناطيسي در محدوده ی ۱۰ T تا T 103  دامنه وسيعي از كاربردهاي حياتي را از ناوبري فضايي تا كاربردهاي پزشكي دربرمي گيرند . بنابراين، علاقه ي زيادي براي توليد حسگري وجود دارد كه بتواند اين گونه ميدانها را به صورت باصرفه و مؤثر اندازه گيري كند. . به علاوه، از آنجا كه ميدان مغناطيسي به عنوان يك كميت برداري هم داراي كميت و هم داراي راستا است، در نتيجه حسگري كه هم حساسيت و هم جهت يابي بالايى داشته باشد،

 حسگرهاي فلاكس گيت و SQUID دامنه اي از حسگرهاي ميدانهاي مغناطيسي را در بر مي گيرند كه از نظر كاربردي بسيار اهميت دارد. بد نيست كه مقايسه اي بين اين دو نوع حسگر داشته باشيم تا مزايا و معايب آنها را مشخص كنيم. تنها حسگري كه تا كنون براي اندازه گيري فعاليت مغناطيسي زيستي پزشكي مورد استفاده قرار گرفته است حسگرSQUID  است. سيستم عصبي و فعاليت قلبي در انسان ، ميدانهاي مغناطيسي ايجاد مي كند كه اگر با قدرت تفكيك و دقت بالاحس شود، عملكرد قلب و مغز را خيلي بهتر از روشهاي متعارف نوار قلب و نوار مغز(EEG) نشان مي دهد.  SQUID نسبت به پيل فلاكس گيت مزيت واضحي از نظر حساسيت دارد، ولي براي عملكرد خود نياز به حالت ابررسانايي ماده دارد كه فقط در دماهاي خيلي پايين به كمك ازت مايع برقرار مي ماند.لذا اين حسگرها بسيار شكننده و گران قيمت هستند ونمي توان براي كاربردهايي كه از نظر توان و فضا محدوديت عمده دارند (مثلاً در زيردرياييها و ماهواره ها) از آنها استفاده كرد. بنابراين حسگرهاي فلاكس گيت بهترين گزينه براي اين قبيل كاربردها مانند امور دفاعي، كاوش فضا، و غيره هستند.

سنسورهاي مغناطيسي خود به دو دسته اصلي تقسيم مي شود:

مغناطیس سنج های کوانتومی ۱

مغناطيسي سنج هاي كوانتمي که از خواص بنيادي اتم  استفاده  مي کند  براساس حرکت چرخشی ذرات به دور هسته ی اتم بنا شده اند.

         هسته ای عمدتاً پروتون ها یا ایزوتوپ هلیوم ۳ .

         اکترون های والانس غیرجفتی .

حرکت چرخشی الکترون های والانس غیرجفتی و هسته ای مرتبط با  مغناطیس لحظه ای بوده و برای هر لحظه ی خاص بررسی می شود . جفت کردن هر لحظه مغناطیسی ذره با میدان بکار رفته محدود به یک مقدار خاص ، توسط قوانین مکانیکی کوانتوم اندازه گیری می شود. معادلات زیر مرتبط با لحظه ی مغناطیسی تا ثابت مغناطیس زمین و عدد کوانتوم می باشند :

 در مورد قطبی شدن۱

به دلیل توزیع میدانهای مغناطیسی داخلی، تمامی ذرات در روند کاری حسگر با فرکانسها در طول زمان فرق دارند. سیگنال مرتبط با انحراف و زمان واقعی در ارتباط است که زمان آزادسازی T2  عمودی نام دارد. مشابه آن، اگر ما از یک میدان مغناطیسی برای یک مجموعه چرخشی استفاده کنیم، مغناطیسی سازی ماکرو اسکوپ زمان زیادی می برد. افزایش آن متناسب با ثابت زمانی T1 به نام زمان آزادسازی طولی می باشد. شدت مغناطیسی شدگی، متناسب با توان میدان مغناطیسی به کاررفته می باشد. توان مغناطیسی شدن و سیگنال سبقت قابل ردیابی بسته به تفاوت جمعیت دوجهت گیری لحظات مغناطیسی می باشد. افزایش آن تفاوت را قطبی شدن می نامند و می تواند به سه شکل در مغناطیس سنج های کوانتومی به دست آید :

         استفاده ازمیدان­مغناطیسی کمکی قوی(شدت جریان واقعی)این پدیده­براساس تاثیرات هسته­ای می باشد.

         انتقال قطبی شدن طبیعی الکترونهای کمکی به پروتونها و این پدیده براساس تاثیرات هسته ای می باشد.

         دستکاری یا پمپ کردن اکترون ها با افزایش آنها به لحاظ شدت حساسیت که این پدیده برمبنای تاثیرات رزونانس هسته ای (هلیوم ۳) و اکترونی می باشد.

نکته : در عمل، T2  در نمونه های جامد خیلی کوتاه است. تمامی مغناطیس سنج های کوانتومی براین اساس از حسگرهای گازی یا مایع استفاده می کنند. در مایعات و گازها، T1 و T2  دارای مقادیری بین کسری از یک ثانیه تا چندثانیه می باشند.

 

  • بازدید : 63 views
  • بدون نظر
این فایل در ۱۳صفحه قابل ویرایش تهیه شده وشامل موارد زیر است:

مدار جاري و لامپ روشن ميشود. لازم نيست كه چند دقيقه، يا حتي چند ثانيه صبر كنيم تا آثار جريان را در مدار مشاهده كنيم. ضمناُ به نظر ميرسد كه فاصلة بين كليد و لامپ، كه معمولاً خيلي بيشتر از cm10 است، بر زمان بروز آثار الكتريكي تأثير محسوسي ندارد.
نكته آن است كه براي اينكه فيلامان به جريان پاسخ دهد، لازم نيست صبر كنيد تا يك الكترون معين از سر باتري به لامپ برسد. وقتي كه كليد را ميبنديم، همة توزيع بار درون رسانات، تقريباً بلافاصله، به حركت درميآيد؛ اين موضوع شبيه ان است كه آب درون يك لولة دراز بلافاصله پس از بازكردن شير جاري ميشود
مقاومت و مقاومت ويژه
اگر سيمي بين دو قطب باتري ببنديم، بارهاي مثبت از داخل اين مدار خارجي جاري ميشوند و از قطب مثبت به قطب منفي، يعني، مطابق شكل۲۰-۷، از نقطة با پتانسيل بيشتر به نقطة با پتانسيل كمتر ميروند. در داخل باتري جريانبارهاي مثبت از قطب منفي به قطب مثبت، يعني در خلاف جهت ميدان الكتريكي، است؛ در داخل باتري، عامل حركت بارها ميدان الكترواستاتيكي نيست بلكه واكنش شيميايي باتري است. در مدار خارجي، عامل حركت بارها مبدان E است. به عنوان نمونهاي مشابه با جريان بار در مدارهاي الكتريكي ميتوان از جريان آب در سيستمهاي هيدروليكي نام برد. آب در ميدان گرانشي هميشه به پايين جاري ميشود؛ اما ابزارهايي – مثل تلمبه – وجود دارد كه با گرفتن انرژي از ساير منبعها، آب را به بالا ميرانند.
اگر سيم بين قطبهاي باتري، يك رساناي كامل و ايدهآل باشد كه بر بارهاي متحرك آن هيچ نيرويي جز نيروي الكتروستاتيكي خارج وارد نميآيد، اين بارها بر اثر ميدان E به طور يكنواخت شتاب ميگيرند. درنتيجه، سرعت متوسط حاملهاي بار در طول زمان به طور پيوسته زياد ميشود، و به همين ترتيب، جريان نيز افزايش مييابد. اما عملاً چنين نيست. جريان به سرعت به مقداري ثابت ميرسد كه متناسب با اختلاف پتانسيل دو سر سيم است. علت اين امر آن است كه سيم در برابر حركت حاملهاي بار مقاومت ميكند و درنتيجه حالت پايا دست ميدهد.
بنابر تعريف، مقاومت سيم عبارت است از نسبت ولتاژ به جريان؛ يعني:
(۲۰-۵)  
كه R مقاومت، I جرياني كه از اين مقاومت ميگذرد، و V افت پتانسيل در طول اين مقاومت است؛ يعني V اختلاف پتانسيل دو سر عنصر مقاومتي در شرايطي است كه جريان I از آن ميگذرد. واحد مقاومت اهم  ، به نام گئورك سيمون اهم (۱۷۸۷-۱۸۵۴) است. هر اهم برابر است با يك ولت بر آمپر. هر عنصر مداري را كه فقط مقاومت وارد مدار كند، مقاومت (خالص) مينامند.
در اكثر موارد، مقاومت عناصر مداري، دست كم در گسترهاي وسيع از جريان، از جريان داخل آن مستقل است. معادلة (۲۰-۵) يا رابطة معادل آن.
(۲۰-۶)  
را كه R ثابت فرض ميشود، قانون اهم مينامند.
مثال ۲۰-۲ يك مقاومت   را به قطبهاي يك باتري V10 بستهاند. جريان در اين مقاومت چه قدر است؟
حل: از معادلة تعريف كنندة R، يعني معادلة (۲۰-۵)، داريم
 
بدينسان:
 
قانوه اهم، برخلاف قوانين حركت نيوتون، قانون دوم ترموديناميك، يا قوانين پايستگي انرژي و اندازة حركت، از جملة قوانين بنيادي طبعت محسوب نميشود. بسياري از سيستمهاي مقاومتي از قانون اهم پيروي نميكنند. اين سيستمها در الكترونيك حالت جامد نقشي كليدي بازي ميكنند. اما قانون اهم براي اكثر عناصر سادة مداري، مانند سيم، گرمكن برقي و مانند آن، يا صادق است، يا دست كم تقريبي خوب به شمار ميايد.
مقاومت رساناها به طول، l ، مساحت سطح مقطع، A، و يك خاصيت ذاتي مادة رسانا، يعني مقاومت ويژه، بستگي دارد. رابطة بين مقاومت، R، و مقاومت ويژه، l، به اين قرار است
(۲۰-۷)  
واحد مقاومت ويژه اهم متر است.
گسترة مقدار مقاومت ويژة مواد در دماي اتاق وسيع است؛ از مقادير كم براي فلزات بسيار خالص، مثل مس و نقره، گرفته تا مقادير بسيار بزرگ براي نارساناهاي خوب، مانند شيشه، تفلون، و ميلار. مقاومت ويژة چند فلز خالص، آلياژ، نيمرسانا و نارسانا در دماي  ، در جدول ۲۰-۱ درج شدهاند. گسترة اين مقادير ۲۵ دهه (مرتبه بزرگي) است.
  • بازدید : 43 views
  • بدون نظر
این فایل در ۲۵صفحه قابل ویرایش تهیه شده وشامل موارد زیر است:

تئوري الكتروني اتم
اتم از ذرات كوچكتري به نامهاي الكترون-پروتون ونوترون تشكيل شده است كه الكترونها داراي بارمنفي،پروتونها داراي بار مثبت ونوترونها بدون بارند تعداد الكترونها و پروتونهاي يك اتم در حالت عادي برابرند پس بار اتم در حالت عادي برابر صفر است
توليد الكتريسته بروش مالش
اگر يك ميله شيشه اي را به پارچه ابريشمي مالش دهيم هردوجسم الكتريسيته دار مي شود زيرا شيشه تعدادي الكترون از دست مي دهد و پارچه الكترون مي گيرد پس شيشه داراي بار مثبت و پارچه به همان مقدار داراي بار منفي مي گردد بار ايجاد شده در شيشه و پارچه در محل تماس باقي مي ماند
اجسام رسانا و نارسانا
بعضي از اجسام مانند فلزات كه الكتريسته را به خوبي از خود عبور مي دهند رسانا ناميده مي شود در اين اجسام الكترونهاي آزاد اتم براحتي در شبكه بلوري جسم حركت مي كنند و عمل رسانايي را انجام مي دهند اجسامي كه الكترونهاي آزاد براي هدايت الكتروني ندارند و نمي توانند الكتريسيته را ازخود عبور دهند نارسانا يا عايق ناميده ميشود 
پخش بار الكتريكي در اجسام رسانا
اگر جسم رسانايي بر روي پايه عايقي قرار گيرد و در اثر مالش باردار شود بار توليد شده در آن در سطح خارجي پخش مي شود طوريكه در لبه ها و قسمتهاي نوك تيز چگالي سطحي بار بيشتر از ساير قسمتها مي باشد
چگالي سطحي
مقدار بار الكتريكي موجود در واحد سطح را چگالي سطحي مي نامند
مساحت خارجي جسم/مقدار بار = چگالي سطحي
 
 
اثر بارهاي الكتريكي بر يكديگر و قانون كولن
دو بار همنام يكديگر را دفع و دو بار غير همنام يكديگر را جذب مي كنند مقدار نيروي دافعه و جاذبه طبق قانون كولن با حاصلضرب اندازه بارها نسبت مستقيم وبا مجذور فاصله دو بار نسبت عكس دارد و به جنس محيط نيز بستگي دارد
 
 
ميدان الكتريكي
قسمتي از فضاي اطراف يك بار الكتريكي را كه در آن آثارجاذبه و دافعه الكتريكي وجود دارد ميدان الكتريكي مي نامند
شدت ميدان الكتريكي 
شدت ميدان الكتريكي  در هر نقطه برابر است با نيروي وارد بر واحد مثبت الكتريكي واقع در آن نقطه
 
 
شدت ميدان حاصل از يك بار نقطه اي
 
بار نقطه اي  q
در نقاطي به فاصله r
تعيين جهت ميدان الكتريكي در هر نقطه
در هر نقطه از ميدان الكتريكي براي تعيين جهت ميدان مي توان بار مثبت آزمون را در آن نقطه فرض كرده جهت نيروي وارد بر آن را تعيين كرد كه همان جهت ميدان است
خطوط ميدان 
خطوطي فرضي هستند كه در هر نقطه مماس بر بردار شدت ميدان آن نقطه مي باشد و جهت آن جهت ميدان را در هر نقطه نشان مي دهد
ميدان حاصل از چند بار نقطه اي
ميدان حاصل از دو يا چند بار نقطه اي عبارتست از بر آيند ميدانهاي حاصل از بارها در هر نقطه
شدت ميدان در يك جسم هادي باردار
در يك جسم هادي باردار شدت ميدان در تمام نقاط داخلي و سطح خارجي هادي برابر صفر است ولي در نقاط خارج از جسم ميدان وجود دارد
ميدان الكتريكي يكنواخت
ميداني است كه در آن شدت ميدان چه از لحاظ مقدار وچه از لحاظ امتداد و جهت ثابت باشد مانند ميدان الكتريكي دو صفحه موازي نزديك بهم
اختلاف پتانسيل بين دو صفحه v
   d  فاصله بين آنها   
 
  
 
اختلاف پتانسيل 
اختلاف پتانسيل الكتريكي عامل برقراري جريان از نقطه اي به نقطه ديگر است كه همواره جريان از پتانسيل زياد به پتانسيل كم برقرار است
پتانسيل صفر
در هر ميدان الكتريكي نقطه اي بعنوان پتانسيل صفر يا زمين الكتريكي تعريف مي شود كه پتانسيل نقاط ديگر نسبت به آن نقطه سنجيده مي شود 
تعريف پتانسيل يك جسم بار دار
پتانسيل هر نقطه عبارتست از مقدار انرژي لازم براي ابتقال واحد بار مثبت از زمين (پتانسيل صفر)به آن نقطه
      q انتقال بار از زمين 
     w   انرژي لازم 
   v      اختلاف پتانسل 
 
 

پتانسيل مثبت ومنفي
با وصل نقطه بارداري به زمين بار مثبت از نقطه به زمين منتقل شود  پتانسيل آن مثبت است و اگر از زمين به جسم منتقل شود پتانسيل آن منفي است بعبارت ديگر اگر براي انتقال واحد بار مثبت از زمين به جسمي كار مثبت انجام شود(انرژي بدهيم)پتانسيل آن جسم مثبت است و اگر كار منفي انجام شود (انرژي بگيريم) پتانسيل جسم منفي است

تغييرات انرژي پتانسيل
اگر در يك ميدان پتانسيل تغييري در جهت خواسته ميدان انجام شود انرژي توسط ميدان آزرد مي شود يعني انرژي داخلي آن كاهش مي يابد ولي اگر در خلاف جهت خواسته ميدان تغييري صورت گيرد انرژي داخلي آن افزايش مي يابد
    پتانسيل نقاط اطراف بار نقطه اي
بر حسب تعريف، پتانسيل نقاط واقع در بي نهايت دور از بار نقطه اي را صفر فرض مي كنيم و پتانسيل هر نقطه از فرمول زير بدست مي آيد
 
توجه :پتانسيل بر خلا ف شدت ميدان الكتريكي كميتي اسكالر و داراي مقدار مثبت، منفي و يا صفر است
پتانسيل يك جسم هادي باردار 
در تمام نقاط داخلي و سطح خارجي يك جسم هادي باردار پتانسيل يكسان است
  R شعاع کره بار دار  

  و در نقاط خارج کره باردار پتانسيل از رابطه زير به دست ميآيد 
 
خازن
وسيله اي است برا ذخيره بار الكتريكي كه تشكيل شده است از دو صفحه رسانا كه به موازات هم قرار گرفته ودر فضاي بين دو صفحه عايق و يا دي الكتريك مناسب قرار مي دهند تا دو صفحه با هم تماس نداشته باشند خازن در دو وضعيت مي تواند وجود داشته باشد 
الف- خازن خالي يا دشارژ، يعني دو صفحه خازن خنثي بوده و بدون بار باشد
ب – خازن پر بوده يعني در صفحات آن دو نوع بار مساوي ولي مخالف وجود دارد در اين وضعيت گفته مي شود كه خازن شارژ است
براي پر كردن خازن كافي است دو خوشن آن مستقيما و يا به صور غير مستقيم به دو قطب پيلي متصل شود جوشني كه به قطب مثبت وصل است داراي بار مثبت و جوشني كه به قطب منفي وصل است داراي بار منفي مي گردد 
يك روش براي شارژ كردن خازن به طور غير مستقيم است
در اين حالت خازن را در مداري به  يك مولد وصل مي كنيم به محض آن كه كليد وصل مي شوددر يك لحظه مشاهده مي شود كه شدت جريان به حداكثر مي رسد كه آمپر سنج آن را نشان مي دهد سپس ملاحظه مي شود كه با گذشت زمان هر چند كيد وصل است ولي شدت جريان شروع به كم شدن مي كند تا جايي كه به صفر مي رسد(خيلي خيلي كم مي شود) 
شدت جريان
مقدار الکتريسيته اي که در واحد زمان از مداري مي گذرد شدت جريان ناميده مي شود و واحد آن آمپر است
تعريف آمپر
يک آمپر بزرگي جريان الکتريکي در مداري است که در يک ثانيه يک کولن بار الکتريکي از مقطع مدار شارش مي کند
مقدار الکتريسيته
    در زمان    t   شدت جريان   I

 
مقاومت الکتريکي
در دماي ثابت نسبت اختلاف پتانسيل دو سر سيم به جرياني که از آن عبور مي کند مقاومت الکتريکي سيم مي نامند ( قانون اهم)
 
يک اهم
يک اهم مقاومت سيمي است که اگر اختلاف پتانسيل ۱ ولت  در دو سر آن بر قرار شود جريان ۱ آمپر از آن عبور مي کند
اثر دما بر مقاومت الکتريکي
افزايش دما مقاومت الکتريکي هادي هاي فلزي را افزايش و مقاومت هادي هاي غير فلزي  ونيمه هادي ها را کاهش مي دهد
 
ضريب ازدياد گرمايي مقاومت   
 مقاومت در صفر درجه سلسيوس   R0
   مقاومت در دماي       R
براي فلزات مثبت وبراي غير فلزات منفي است   
       نيروي محرکه
  نيروي محرکه ي مولد مقدار انرژي است که مولد به يکاي بار الکتريکي مي دهد تا بتواند در مدار شارش پيدا کند
 =u/q
   u        انرژي مولد که به بار داده مي شود    
q         مقدار بار الکتريکي
           نيروي محرکه مولد بر حسب ولت
       مولد انرژي را به بار مي دهد تا از پايانه منفي به پايانه مثبت منتقل مي شود مولد مانند يک پمپ آب است که آب را در مدار از پايين دست به بالا دست جا بجا مي نمايد عمل مي کند 
     هر مولد داراي مقاومت دروني است که در واقع مقاومت مولد در مقابل جريان است و آن را با
  r    نشان مي دهند
      قانون اهم در مدار جريان پيوسته
    اختلاف پتانسيل دو سر يک مقاومت از رابطه   v=RI بدست مي آيد
     اختلاف پتانسيل دو سر يک مولد از رابطه   v=E-rI بدست مي آيد که   rI را افت پتانسيل داخلي   مولد مي نامند
محاسبه اختلاف پتانسيل بين دو قطعه از مدار
در يک مدار الکتريکي اختلاف پتانسيل بين دو نقطه از مدار بر اساس اجزاي تشکيل دهنده ي مدار محاسبه مي گردد براي محاسبه از يک نقطه از مدار در يک جهت روي مدار حرکت مي کنيم به ازاي هر جزء از مدار تغيير پتانسيل را محاسبه مي کنيم تا نقطه دوم سپس اختلاف پتانسيل بين دو نقطه را به دست مي آوريم
  • بازدید : 55 views
  • بدون نظر

این مقاله در ۱۴ صفحه می باشد.

در زیر قسمتی از مقدمه قرار گرفته است.

تاريخچه

علم مغناطيس از اين مشاهده که برخي سنگها (ماگنتيت) تکه‌هاي آهن را جذب مي کردند سرچشمه گرفت. واژه مغناطيس از ماگنزيا يا واقع در آسياي صغير ، يعني محلي که اين سنگها در آن پيدا شد، گرفته شده است. زمين به عنوان آهنرباي دائمي بزرگ است که اثر جهت دهنده آن بر روي عقربه قطبهاي آهنربا ، از زمانهاي قديم شناخته شده است. در سال ۱۸۲۰ اورستد کشف کرد که جريان الکتريکي در سيم نيز مي‌تواند اثرهاي مغناطيسي توليد کند، يعني مي‌تواند سمت گيري عقربه قطب نما را تغيير دهد.

  • بازدید : 73 views
  • بدون نظر

قیمت : ۳۰۰۰۰ ريال    تعداد صفحات : ۸    کد محصول : ۱۷۹۷۲    حجم فایل : ۱۷۲ کیلوبایت   

در این مقاله توضیح داده شده به دلیل ناخالصی‌های موجود در آب نظیر املاح کربناته، بی‌کربناته و نیز کلسیم، منیزیم، آهن، منگنز و ذرات معلق و بیولوژیک، لوله‌ها، نازل‌ها و قطره چکان‌ها دچار رسوب و گرفتگی شده و عمر مفیدشان به شدت کاهش می‌یابد که با مصرف آب پالایش شده محصول تا یک ماه زودرس شده و مصرف آب ۳۰٪ کاهش می‌یابد همچنین به مرور خاک پوک و نرم شده و از ایجاد کلوخه ممانعت می‌شود و با فعال شدن املاح خاک مصرف کود نیز نصف خواهد شد .


عتیقه زیرخاکی گنج