• بازدید : 54 views
  • بدون نظر

دانلود پروژه پایان نامه رشته های برق و الکترونیک با موضوع تحليل مدارهاي ديودي که شامل ۵۱ صفحه و بشرح زیر است:

نوع فایل : Word

چکیده و مقدمه : ديود به عنوان ساده ترين اختراع غيرخطي مي باشد كه اين متن در مورد آن شرح داده است. اين عنصر داراي تنوع بسيار بوده و اكثر به يك صورت مورد استفاده قرار ميگيرد يا به بياني ديگر د رتمامي شاخه هاي صنعت الكترونيك كاربرد دارد.

از انواع آن ميتوان به ديود خلا ديود گاز، ديودهاي يك سو ساز فلزي، ديودهاي نيمه هادي و ديودهاي تونل و … اشاره كرد. به ديود نيمه هادي ارجعيت بيشتري مي دهيم چرا كه تئوري مربوط به ساخت اين نوع خاص از انواع ديود مرتبط وصادق براي انواع ديگر است.

۲-مشخصات مداري ديود در اين بخش اموزش داده خواهد شد.

در ضمن تكنيكهاي تصويري مورد تاكيدي باشند چرا كه تصوير قابل رويتي از عملكرد مدار را نمايش مي دهند و اطلاعاتي را عرضه مي كنند كه نمي توان صرفا از رفتار چيزي معمار آنها را بدست آورد.اين تكنيكهاي تصويري شامل رفتار خط بار ac,dc مي باشند كه فراهم آورنده ي سيگنال كوچك و سيگنال بزرگ است. اگر چه اين روشها معمولا در تحليل مدارات ديودي استفاده نمي شوند اما آنها را براي قوي ومحكم ساختن مجموعه آثار ومنابع دانشجويان در اين بخش معرفي كرده ايم.

وقتي ترازيستورها پيچيده مي باشند مشكلات ديگر مواجه شده بسيار راحتتر خواهند بود وقتي كه آنها را با ديود شبيه سازي كنيم.

۱-۲-خاصيت غيرخطي-ديويد ايده آل

داتشجويان معمولا تحصيل خود را با در نظر گرفتن نمونه هاي خطي مدار آغاز مي كنند كه ساده ترين آنها مقاومت مي باشد. رابطه ي ولت-آمپر يعني همان مشخصه ي vi يك مقاومت با مافوق ساده هم توضيح داده شده است كه ما گاهي اوقات تفسير نموداري آن را بررسي نمي كنيم. مشخصه ي خطي ترازيستور در شكل ۱-۱-۲ مشخص است و مشخصه ي غيرخطي ديويد هم در اينجا به وضوح وجود دارد. وقتي ولتاژ منبع مثبت باشد جريان id هم مثبت خواهد بود……………….

  • بازدید : 53 views
  • بدون نظر
این فایل در ۲۰صفحه قابل ویرایش تهیه شده وشامل موارد زیر است:

نيمه هادي ها عناصري هستند كه از لحاظ هدايت ، ما بين هادي و عايق قرار دارند، و مدار آخر نيمه هاديها ، داراي ۴ الكترون مي‌باشد.
ژرمانيم و سيليكون دو عنصري هستند كه خاصيت نيمه هادي ها را دارا مي‌باشند و به دليل داشتن شرايط فيزيكي خوب ، براي ساخت نيمه هادي ديود ترانزيستور ، آي سي (IC ) و …. مورد استفاده قرار مي‌گيرد.
ژرمانيم داراي عدد اتمي‌۳۲ مي‌باشد .
اين نيمه هادي ، در سال ۱۸۸۶ توسط ونيكلر  كشف شد.
اين نيمه هادي ، در سال ۱۸۱۰توسط گيلوساك  و تنارد  كشف شد. اتمهاي نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم به صورت يك بلور سه بعدي است كه با قرار گرفتن بلورها در كنار يكديگر ، شبكه كريستالي آنها پديد مي‌آيد .
اتم هاي ژرمانيم و سيليسيم به دليل نداشتن چهار الكترون در مدار خارجي خود تمايل به دريافت الكترون دارد تا مدار خود را كامل نمايد. لذا بين اتم هاي نيمه هادي فوق ، پيوند اشتراكي برقرار مي‌شود.
بر اثر انرژي گرمائي محيط اطراف نيمه هادي ، پيوند اشتراكي شكسته شده و الكترون آزاد مي‌گردد. الكترون فوق و ديگر الكترون هائي كه بر اثر انرژي گرمايي بوجود مي‌آيد در نيمه هادي وجود دارد و اين الكترون ها به هيچ اتمي‌وابسته نيست.
د ر مقابل حركت الكترون ها ، حركت ديگري به نام جريان در حفره ها كه داراي بار مثبت مي‌باشند، وجود دارد. اين حفره ها، بر اثر از دست دادن الكترون در پيوند بوجود مي‌آيد.
بر اثر شكسته شدن پيوندها و بو جود آمدن الكترون هاي آزاد و حفره ها ، در نيمه هادي دو جريان بوجود مي‌آيد.جريان اول حركت الكترون كه بر اثر جذب الكترون ها به سمت حفره ها به سمت الكترون ها بوجود خواهد آمد و جريان دوم حركت حفره هاست كه بر اثر جذب حفره ها به سمت الكترون ها بوجود مي‌آيد. در يك كريستال نيمه هادي، تعداد الكترونها و حفره ها با هم برابرند ولي حركت الكترون ها و حفره ها عكس يكديگر مي‌باشند.

۱٫ نيمه هادي نوع N وP
از آنجايي كه تعداد الكترونها و حفره هاي موجود  در كريستال ژرمانيم و سيليسيم در دماي محيط كم است و جريان انتقالي كم مي‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصي اضافه مي‌كنند.
هرگاه به عناصر نيمه هادي ، يك عنصر ۵ ظرفيتي مانند آرسنيك يا آنتيوان تزريق  شود، چهار الكترون مدار آخر آرسنيك با چهار اتم مجاور سيلسيم يا ژرمانيم تشكيل پيوند اشتراكي داده و الكترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقي مي‌ماند. 
بنابرين هر اتم  آرسنيك، يك الكترون اضافي توليد مي‌كند، بدون اينكه حفره اي ايجاد شده باشد. نيمه هادي هايي كه ناخالصي آن از اتم هاي پنج ظرفيتي باشد، نيمه هادي نوع N  نام دارد.
در نيمه هادي نوع N ، چون تعداد الكترون ها خيلي بيشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدايت جريان را انجام مي‌دهند . به حامل هدايت فوق حامل اكثريت و به حفره ها حامل اقليت مي‌گويند.
هرگاه به عناصر نيمه هادي ژرمانيم و سيليسيم ، يك ماده ۳ ظرفيتي مانند آلومنيوم يا گاليم تزريق شود، سه الكترون مدار آخر آلومنيوم با سه الكترون سه اتم سيليسيم يا ژرمانيم مجاور ، تشكيل پيوند اشتراكي مي‌دهند . پيوند چهارم داراي كمبود الكترون و در واقع يك حفره تشكيل يافته است .
هر اتم سه ظرفيتي، باعث ايجاد يك حفره مي‌شود، بدون اينكه الكترون آزاد ايجاد شده باشد. در اين نيمه هادي ناخالص شده، الكترون ها فقط در اثر شكسته شدن پيوندها بو جود مي‌آيند.
نيمه هادي هايي كه ناخالصي آنها از اتم هاي سه ظرفيتي باشد، نوع P   مي‌نامند . 
حفره ها در اين نيمه هادي به عنوان حامل هاي اكثريت و الكترون ها به عنوان حاملهاي اقليت وجود دارد، تبديل يك نيمه هادي نوع p وn و بالعكس بوسيله عملي به نام «جبران»(Compensation) امكان پذير مي‌باشد .

۲٫ اتصال PN و تشكيل نيمه هاي ديود
لحظه اي كه دو قطعه نيمه هادي نوع P وN را به هم پيوند مي‌دهيم، از آنجايي كه الكترون ها و حفره ها قابل انتقال مي‌باشند، الكترون هاي موجود در نيمه هادي نوع N به خاطر بار الكتريكي مثبت حفره ها ، جذب حفره ها مي‌گردند. لذا در محل اتصال نيمه هادي نوع P وN ، هيچ الكترون آزاد و حفره وجود ندارد.  
۳ـ۱) لايه تهي
گرايش الكترونهاي طرف n پخش شدن در تمامي‌جهات است. بعضي از آنها از پيوندگاه مي‌گذرند. وقتي الكتروني وارد ناحيه p مي‌شود، يك حامل اقليتي به حساب مي‌آيد.
وجود تعداد زيادي حفره در اطراف اين الكترون باعث مي‌شود كه عمر اين حامل اقليتي كوتاه باشد. يعني الكترون بلافاصله پس از ورود به ناحيه p به داخل يك حفره فرو مي‌افتد. با اين اتفاق ، حفره ناپديد و الكترون نوار رسانش به الكترون ظرفيت تبديل مي‌شود.
هر بار كه يك الكترون از پيوندگاه مي‌گذرد، يك زوج يون توليد مي‌كند. دايره هايي كه درون آنها علامت مثبت است، نماينده يو نهاي مثبت و دايره هاي با علامت منفي نماينده يو نهاي منفي اند . به دليل بستگي كوالانسي ، يونها در ساختار بلوري ثابت اند و مانند الكترونهاي نوار رسانش يا حفره ها نمي‌توانند به اين سو و آن سو حركت كنند.
هر زوج يون مثبت و منفي را دو قظبي مي‌ناميم . ايجاد يك به معني اين است كه يك الكترون نوار رسان ش و يك حفره از صحنه عمل خارج شده اند. ضمن اينكه تعداد دو قطبيها افزايش مي‌يابد ، ناحيه اي در نزديكي پيو ندگاه از بارهاي متحرك خالي از بار را لايه تهي مي‌ناميم .
۳ـ۲) پتانسيل سد
هر دو قطبي داراي يك ميدان الكتريكي است . بردارها جهت نيروي وارد به بار مثبت را نشان مي‌دهند. بنابراين ، وقتي الكتروني وارد لايه تهي مي‌شود، ميدان الكتريكي سعي مي‌كند الكترون را به درون ناحيه n به عقب براند. با عبور هر الكترون، شدت ميدان افزايش مي‌يابد تا آنكه سرانجام گذرالكترون ازپيوندگاه متو قف مي‌شود.
در تقريب دوم ، بايد حاملهاي اقليتي رانيز منظور كنيم . به خاطر داشته باشيم كه طرف p داراي تعداد الكترون نوار رسانش است كه از گرما ناشي مي‌شوند. آنها كه در داخل لايه تهي واقع اند توسط ميدان به ناحيه n برده مي‌شوند. اين عمل شدت ميدان را اندكي كاهش مي‌دهد و تعداد كمي‌حاملهاي اكثريتي از طرف راست به چپ اجازه عبورمي‌يابند تا ميدان به شدت قبلي خود بگردد. به محلي كه در آن الكترون ها و حفره ها وجود ندارند را ناحيه تخليه  يا سر كنندگي مي‌نامند.     
حال تصوير نهايي تعادل را در پيوندگاه ارائه مي‌دهيم: 
۱٫ تعداد كمي‌حاملهاي اقليتي از يك طرف پيوندگاه به طرف ديگر سوق مي‌يابند. عبور آنها ميدان را كاهش مي‌دهد مگر اينكه، 
۲٫ تعداد كمي‌حاملهاي اكثريتي از پيوندگاه با عمل پخش گذر كنند و شدت ميدان را به مقدار اوليه برگردنند 
ميدان موجود بين يونها معرف اختلاف پتانسيلي است كه به آن پتانسيل سد مي‌گوييم . پتانسيل سد كنندگي براي نيمه هادي سيليسيم بين ۶/۰ تا ۷/۰ ولت و براي نيمه هادي ژرمانيم بين ۲/۰ تا ۳/۰ ولت مي‌نامند.
مقدار ولتاژي كه لازم است تا سد كنندگي مورد نظر در پيوند PN خنثي شود را ولتاژ سد كنندگي مي‌نامند و آن را با Vy نشان مي‌دهند. 
هنگام هدايت ديود ، افت ولتاژ دو سر آن در حالت ايده آل صفر و در حالت واقعي ، برابر مقدار ولتاژ سد كنندگي مي‌باشد. 
قطب منفي منبع به بلور n، و قطب مثبت آن به بلور p متصل است. اين نوع اتصال را باياس مستقيم مي‌ناميم.
هرگاه پتانسيل منفي به آند(A) و پتانسيل مثبت به كاتد (K) وصل شود، ديود هدايت نمي‌كند و اين حالت را باياس مخالف ديود مي‌نامند.
منبع dc را  وارونه مي‌بنديم تا باياسي معكوس براي ديود برقرار شود.
ميداني كه از خارج اعمال مي‌شود با ميدان لايه تهي هم جهت است. به اين دليل ، حفره ها و الكترونها به سوي دو انتهاي بلوار عقب نشيني مي‌كنند (از پيوندگاه دور مي‌شوند) . الكترونهاي دور شونده پشت سر خود يونهاي مثبت بر جاي مي‌گذارند ، و حفره هايي كه مي‌روند يونهاي منفي باقي مي‌گذارند . بنابراين لايه تهي پهنتر مي‌شود .هر چه باياس معكوس بزرگتر باشد لايه تهي پهنتر است.   
وقتي حفره ها و الكترونها از پيوندگاه دور مي‌شوند، يونهاي نوزاد اختلاف پتانسيل بين دو طرف لايه تهي را افزايش مي‌دهند.
 هر چه لايه تهي پهنتر مي‌شود ، اين اختلاف پتانسيل بزرگتر است. افزايش پهناي لايه تهي وقتي متوقف مي‌شود كه اختلاف پتانسيل آن با ولتاژ معكوس اعمال شده مساوي باشد.
هنگام قطع ديود ، مقاومت دو سر آن زياد مي‌باشد و مانند يك مدار باز عمل مي‌كند.
با توجه به حالت هاي بررسي شده در خصوص ديود ، منحني مشخصه ، زيرا به دست مي‌آوريم.

۳ـ۳ ولتاژ شكست
اگر ولتاژ معكوس را افزايش دهيم سرانجام به ولتاژ شكست مي‌رسيم ، در ديودهاي يكسو ساز(آنهاي كه ساخته شده اند تا در يك جهت بهتر از جهت ديگر رسانايي داشته باشند)، ولتاژ شكست معمولاً ازV 50 بيشتر است. 
همين كه ولتاژ شكست فرا مي‌رسد، تعداد زيادي حامل اقليتي در لايه تهي ظاهر مي‌شود و رسانش شديد مي‌شود.
در باياس معكوس الكترون به راست و حفره به چپ رانده مي‌شود. سرعت الكترون ، ضمن حركت زياد مي‌شود .
هرچه ميدان لايه تهي قويتر باشد حركت الكترون سريعتر است . در ولتاژي معكوس بزرگ، الكترونها به سرعتيهاي بالا مي‌رسند. اين الكترونهاي بسيار سريع ممكن است با يك الكترون ظرفيت برخورد كند. 
اگر اين الكترون بسيار سريع داراي انرژي كافي باشد، مي‌تواند الكترون ظرفيت را به موازي در نوار رسانش حاصل مي‌شود .
 اكنون اين دو الكترون هر دو شتاب مي‌گيرند و مي‌توانند دو الكترون ديگر را از جاي خود بكنند. به اين ترتيب ممكن است تعداد حاملهاي اقليتي بسيار زياد شود و كار رسانش در ديود شدت گيرد.
حالت شكست باي بيشتر ديودها مجاز نيست. به عبارت ديگر، ولتاژ معكوس در دو سر ديود بايد در مقداري كمتر از ولتاژ شكست نگه داشته شود.

۳ـ۴ منحني ديود در باياس مستقيم
چون منبع dc جريان مثبت را در جهت پيكان ديود برقرار مي‌كند، ديود باياس 
مستقيم دارد. هرچه ولتاژ اعمال شده بيشتر باشد ، جريان ديود بيشتر است.
 با تغيير ولتاژ اعمال شده، مي‌توانيد جريان ديود(با استفاده از آمپرسنج متوالي) و ولتاژ ديود(با ولت سنج موازي) را اندازه بگيريد. با ترسيم نقاط مربوط به جريانها و ولتاژهاي متناظر نموداري ازجريان ديود بر حسب ولتاژ ديود به دست مي‌آيد. 
  • بازدید : 35 views
  • بدون نظر
این فایل در ۹۵صفحه قابل ویرایش تهیه شده وشامل موارد زیر است:

امروزه با توسعه صنايع در كشور،فرصت هاي شغلي زيادي براي مهندسين برق فراهم شده است و اگر مي بينيم كه با اين وجودبعضي از فارغ التحصيلان اين رشته بي كار هستند و به دليل اين است كه اين افراد يا فقط در تهران دنبال كار مي گردند يا در دوران تحصيل به جاي يادگيري عميق دروس و در نتيجه كسب توانايي هاي لازم تنها واحد هاي درسي خود را گذرانده اند.
همچنين يك مهندس خوب بايد كارآفرين باشد يعني به دنبال استخدام در مؤسسه يا وزارت خانه اي نباشد بلكه به ياري آگاهي خود، نيازهاي فني و صنعتي كشور را يافته و باطراحي سيستم ها ومدارهاي خاص اين نياز را بر طرف سازد. كاري كه بعضي از فارغ التحصيلان ما انجام داده و خوش بختانه موفق نيز بودند.
از آنجا كه اساس و پاية علم الكترونيك نيمه هاديها مي‌باشند لذا به عنوان مقدمه به تشريح  ساخت پيوند P-n مي پردازيم.
 براي ساختن پيوند p-n به يک بخش از يک تک بلور نيمه هادي نا خالصي نوع n و به بخش ديگر نا خالصي نوع p مي افزايند . پيوند ها بسته به چگونگي ايجاد ناحيه ي انتقال از pبه n دردرون تک بلور طبقه بندي مي شوند . هنگامي که ناحيه انتقال بسيار باريک باشد , پيوند ناگهاني ناميده مي شود . پيوند تدريجي پيوندي است که ناحيه انتقالش در محدوده ي وسيعتري “پخش ” شده باشد.
پيوند p-n ناگهاني به وسيله ي آلياژ سازي و رشد رونشتي تشکيل مي شوند . پيوند هاي تدريجي از طريق نفوذ گازي  ناخالصيها يا کشت يونها ساخته مي شوند.
رشد رونشستي :
رشد رونشستي يک لايه ي نيمه هادي روي يک پايه ي تک بلور نيمه هادي روشي براي تشکيل ناگهاني است . رشد رونشستي با گرم کردن پولک ميزبان ؛ مثلأ سيليسيم نوع n و عبور دادن جريان کنترل شده ي گازي حاوي تتراکلريد سيليسيم (( sicl4و هيدروژن از روي سطح انجام مي شود . در اثر فعل و انفعال گازها اتمهاي سيليسيم روي سطح پولک ميزبان ته نشين مي شود . چون معمولأ دما بالاتر از ۱۰۰۰درجه سانتي گراد است ؛ اتمهاي ته نشين شده انرژي و قابليت حرکت کافي دارند تا خود را به طور صحيح با شبکه ي بلور ميزبان تطبيق دهند . اين عمل سبب مي شود که شبکه از روي سطح اصلي به طرف بالا امتداد يابد . سرعت نمونه اي رشد لايه ي رونشستي حدود يک ميکرون در هر دقيقه است.
براي تشکيل لايه هاي نوع n يا p مي توان در هنگام رشد رونشستي ؛ انتهاي ناخالصي را به شکل ترکيب گازي به گاز حامل اضافه کرد . با رشد دادن يک لايه ي نوع pرونشستي (epi) بر روي يک پولک ميزبان نوع n پک پيوند تقريبأ ناگهاني شکل مي گيرد.البته ؛ ترتيبهاي ديگر مثل رشد لايه ي نوع n به روش رونشستي روي يک لايه ي نوع p نيز ممکن است.
فرايند رونشستي به طور وسيع در ساخت مدارهاي مجتمع (IC)ها به کار مي رود. ديود p-n تشکيل شده در فرايند رونشستي (epi) به طور معکوس با ياس مي شود تا مدار را از پايه (پولک ميزبان جدا سازد . اخيرأ از روش رونشستي در شکل دهي ساختارهاي SOS مخفف Si-on_sapphire يا Si-on-spinel 
سيليسيم)روي ياقوت سرخ يا ياقوت کبود ) است. ياقوتهاي کبود , ترکيبات گوناگوني از اکسيد منيزيم (Mgo)
و اکسيدآلومينيم (Al203) هستند و ارتباط نزديکي با ياقوت سرخ دارند . به طور خلاصه ناخالصي سيليسيم به طريق رونشستي بر روي پايه هاي ياقوت سرخ يا کبود رشد داده مي شود . 
انگيزه استفاده از پايه هاي ياقوت سرخ يا کبود , کيفيت عايق بودن اين پايه ها در جدا سازي مدارها در طراحي IC هاي حاوي ادوات سريع ,به خصوص مدارهاي مجتمع در مقياس فشرده (LSI) است .
ساختمان کريستالي نيمه هادي


همانطور که هادي ها در صنعت امروزي به خصوص در زمينه هاي حرارتي و برودتي کاربردي ويژه يافته اند عناصر نيمه هادي نيز اهميت زيادي در صنعت الکترونيک و ساخت قطعات پيدا کرده اند.
هدف اصلي که در الکترونيک آنالوگ دنبال مي شود تقويت سيگنالها بدون تغيير شکل آن سيگنال است. همين هدف بشر را به سمت استفاده از نيمه هادي ها در ساخت قطعات تقويت کننده پيش برده است. اما آن چيزي که عملکرد اين قطعات را رقم مي زند چگونگي حرکت الکترون ها و حفره ها در ساختار کريستالي اين عناصر مي باشد.
و اين مقدمه اي ست براي پيدايش قطعاتي نظير ترانزيستور ها –ديود ها و… عامل موثر بر چگونگي حرکت الکترون ها و حفرها چيزي نيست جز درجه حرارت. به طوري که گفته شد درجه حرارت صفر مطلق ساختمان کريستالي نيمه هادي هايي نظير ژرمانيوم و سيلسکن را تحت تاثير خود قرار مي دهد. يعني در اين درجه حرارت الکترون ها کاملا در باند ظرفيت قرار گرفته و نيمه هادي نظير يک عايق عمل مي کند. (به علت اينکه هيچ الکترون آزادي در باند هدايت خود ندارد). 
اگر درجه حرارت افزايش يابد الکترون هاي لايه ظرفيت انرژي کافي کسب کرده و پيوند کو والانسي خود را شکسته وارد باند هدايت مي شوند. به مراتب اي جابه جايي باعث توليد حفره ناشي از الکترون مي گردد.
انرژي لازم براي شکستن چنين پيوندي در سيلسکن ۱٫۱(الکترون ولت) و در ژرمانيوم ۰٫۷۲ (الکترون ولت) مي‌باشد. اهميت حفره در اين است که نظير الکترون حامل جريان الکتريکي بوده و و نظير الکترون آزاد عمل مي نمايد. حال آنکه تا چندي پيش دانشمندان حفره ها را حامل جريان نمي دانستند!
هنگامي که يک پيوند از الکترون خالي شده و حفره اي در آن به وجود مي آيد در اين صورت الکترون هاي ظرفيت اتمهاي مجاور در باند ظرفيت به سادگي قادر به اشغال اين حفره هستند. الکتروني که از يک پيوند کووالانسي ديگر اين حفره را اشغال مي کند خود يک حفره بر جاي مي گذارد. بنابر اين مي توان به جاي حرکت الکترون هاي باند ظرفيت تصور نمود که در اين باند حفره ها حرکت مي نمايند. 
حرکت حفره ها بر خلاف حرکت الکترو نها مي باشد. حفره جديدي که به وجود مي آيد به نوبه خود توسط الکترون ديگري از پيوندي ديگر اشغال شده و بنابراين حفره پله به پله بر خلاف جهت الکترون حرکت مي نمايد. پس در اينجا با پديده ديگري از هدايت الکتريکي روبه رو خواهيم بود که مربوط به الکترون هاي آزاد نمي باشد. در اين صورت مي توان چنين تصور کرد که حفره در جهت عکس الکترون حرکت نموده است . بنابراين حرکت الکترون در باند ظرفيت را مي توان معادل حرکت حفره در خلاف جهت آن دانست. 
حال ميبينيم که چرا با توجه به اينکه حرکت الکترون همان حرکت حفره است از مفهمم حفره استفاده مي‌شود. با کمي دقت ملاحظه مي شود که حرکت حفره حرکت الکترون هاي باند ظرفيت بوده ولي حرکت الکترون هاي آزاد در باند هدايت صورت مي گيرد و براي بيان اين تفاوت بين حرکت الکترون در باند ظرفيت و هدايت از مفهوم حفره کمک مي گيريم. 
به عنوان مثال فرض مي شود که نيمه هادي تحت تاثير يک ميدان خارجي قرار گيرد يعني به دو سر آن ولتاژي اعمال شود در ايک صورت الکترون هاي آزاد باند هدايت که تحت تاثير نيرو هاي هسته اي اتم ها نيستند در اين باند در خلاف جهت ميدان اعمال شده حرکت خواهند نمود. انرژي اين الکترون ها در جهتي نيست که در باند هدايت قرار گيرد. ولي مي توانند در همان باند ظرفيت حرکت کرده و حفره هاي مجاور خود را اشغال نمايند. بنابر اين حرکت اين الکترون ها بيشتر از الکترو ن هاي آزاد به هسته وابسته مي باشد. در حقيقت براي هر ولتاژ اعمال شده به دو سر يک نيمه هادي يک الکترون در باند ظرفيت فاصله متوسط کو تاهتري از الکترون هاي باند هدايت را در فاصله زماني يکسان طي خواهند نمود. 
بنابر اين مي توان گفت که الکترون هاي آزاد داراي تحرک بيشتري نسبت به حفره ها هستند. به طوري که گفته شد در درجه حرارت معمولي اتاق تعدادي از پيوند هاي کو والانسي شکسته سده به ازاي شکسته شدن هر پيوند يک الکترون-حفره توليد مي شود. الکترون و حفره هر دو حامل هاي بادار مي باشد. با اعمال يک پتانسيل الکتريکي به دو سرهر قطعه اي نيمه هادي اين حامل هر دو حرکت نمود ه و جريان به وجود مي آورند. 
ديديد که اين حرکت ها در چگونکي رفتار يک نيمه هادي تا چه ميزان مي توانند موثر باشند.با پيشرفت علم و تکنولوژي استخراج کشف هر نيمه هادي جديدي انقلابي عظيم در عصر ارتباطات حاصل مي شود.
ترانزيستورها
ترانزيستور به عنوان يکي از قطعات الکترونيک  است که از مواد نيمه رسانايي مانند( سيليسيم  سيليکان( ساخته مي‌شود.
کاربرد
ترانزيستور هم در مدارات الکترونيک آنالوگ و هم در مدارات الکترونيک ديجيتال کاربردهاي بسيار وسيعي دارد. در آنالوگ مي‌توان از آن به عنوان تقويت کننده يا تنظيم کننده ولتاژ (رگولاتور) و … استفاده کرد. کاربرد ترانزيستور در الکترونيک ديجيتال شامل مواردي مانند پياده سازي مدار منطقي، حافظه، سوئيچ کردن و … مي‌شود.به جرات مي توان گفت که ترانزيستور قلب تپنده الکترونيک است.
 عملکرد
ترانزيستور از ديدگاه مداري يک عنصر سه‌پايه مي‌‌باشد که با اعمال يک سيگنال به يکي از پايه‌هاي آن ميزان جريان عبور کننده از دو پايه ديگر آن را مي‌توان تنظيم کرد. براي عملکرد صحيح ترانزيستور در مدار بايد توسط المان‌هاي ديگر مانند مقاومت‌ها و … جريان‌ها و ولتاژهاي لازم را براي آن فراهم کرد و يا اصطلاحاً آن را باياس کرد.
  • بازدید : 58 views
  • بدون نظر

قیمت : ۶۰۰۰۰ ريال    تعداد صفحات : ۶۵    کد محصول : ۱۳۰۶۵    حجم فایل : ۱۱۸۲ کیلوبایت   

این مقاله با عنوان چاه های کوانتومی نیمه هادی برای دریافت درجه کارشناسی ارشد M.Sc و برای دانسجویان رشته مهندسی برق – الکترونیم گردآوری شده است.این مقاله به موضوعاتی از قبیل مروری بر حسگرها و سامانه های مادون قرمز و کاربرد آن بهمراه معرفی پارامترهای آشکارساز و بررسی روند تولید آن – تنظیم نوار نوع ll و آشکارسازهای نوع ll و نحوه عملکرد آن – روش های رشد و مشخصه یابی و همچنین در آخر به نتیجه گیری و پیشنهادات لازم اشاره می کند.در بیشتر قسمت ها نمودار و مدارهایی برای درک بهتر اضافه شده است.


عتیقه زیرخاکی گنج